可以电气地写入与抹除之记忆媒体

摘要

本发明系提供一用于一可电气地写入与抹除的记忆媒体之记忆晶胞及其一记忆媒体。记忆晶胞系包含一资料记录元件，资料记录元件具有配置于彼此顶上之复数个多层结构；各多层结构包含复数个顺序性配置的个别层。复数个个别层的至少一者系能够回应一电脉冲在一晶系状态及一非晶系状态改变相位，复数个个别层的一者系具有在复数个个别层的另一者中所缺乏之至少一原子元素，而复数个多层结构系属于一超晶格结构以降低自资料记录元件往外之热扩散来缩短各别个别层之一相位改变时间。