发明名称 Verpolungsschutzschaltung mit niedrigem Spannungsabfall
摘要 Stromversorgungsschaltung zur Versorgung einer Schaltung mit einer internen Versorgungsspannung (VDDint) aufgrund einer externen Versorgungsspannung (VDDext) mit einem Bipolartransistor (52) zur Realisierung eines Verpolungsschutzes für die zu versorgende Schaltung, dessen Kollektor-Emitter-Strecke von einem Versorgungsstrom durchflossen wird, wobei eine an den Bipolartransistor (52) angeschlossene Regelschaltung (56) den Betrieb des Bipolartransistors (52) an der Grenze zur Sättigung sicherstellt.
申请公布号 DE102004029966(A1) 申请公布日期 2006.01.12
申请号 DE20041029966 申请日期 2004.06.21
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MOTZ, MARIO
分类号 G05F1/10;H01L23/62;H02H3/18;H02H11/00;H03K17/08 主分类号 G05F1/10
代理机构 代理人
主权项
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