| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,包括 一基板,其由下列之一所构成:氧化铝单晶(Sapphire) 、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石(MgAl2O4)、一 晶格常数接近于氮化物半导体之单晶氧化物之一; 一缓冲层,形成于该基板上,此缓冲层由具有特定 组成的氮化铝镓铟(Al1-a-bGaaInbN, 0≦a,b<1, a+b≦1)所 构成; 一N型氟化镓系接触层,形成在该缓冲层上,此N型氮 化镓系接触层成长温度为900-1200℃,厚度为2-5m; 一发光堆叠层,形成于该N型氮化镓系接触层上,其 材质为特定组成之氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN, 0<x,y<1, x+y≦1),其通常为氮化铟镓(InGaN),成长温度700-900℃ ; 一P型氮化镓系接触层,形成在该发光堆叠层上,成 长温度为900-1200℃,其厚度不大于5000; 一数位穿透层,形成于P型氮化镓系接触层上,且于 此层中可利用载子穿透效应以进行载子穿透; 一透明导电层其由以下之一所构成:Ni/Au、Ni/Pt、Ni /Pd、Pd/Au、Pt/Au、Cr/Au、Ni/AuBe、Ni/Cr/Au、Ni/Pt/Au、Ni /Pd/Au、以及其他类似材料之金属导电层,或一透明 导电氧化层其由以下之一所构成;ITO、CTO、ZnO、InO 、及其它类似材料,而形成在该数位穿透层上; 一第一欧姆接触电极,形成于该数位穿透层上、未 被该透明导电层覆盖之表面上,用以作为P型欧姆 接触,其由以下之一所构成:Ni/Au合金、Ni/Pt合金、 Ni/Pd合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au合 金、Cr/Au合金、Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、TiWNx(x≧ 0)、WSiy(y≧0);以及 一第二欧姆接触电极,形成于该N型氮化镓系接触 层上作为N型欧姆接触,其由以下之一所构成:Ti/Al 合金、Ti/Al/Ti/Au合金、Ti/Al/Ni/Au合金、Ti/Al/Pt/Au合 金、Ti/Au合金、Cr/Au合金。 2.如申请专利范围第1项之发光二极体结构,其中 此数位穿透层是由两种厚度渐增(2埃到20埃)/渐减( 20埃到2埃)之材料AlxInyGa1-x-yNzP1-z/AlpInqGa1-p-qNrP1-r所 构成之次层(sub-layer)两两交替堆叠而成,其重覆次 数大于2,而其整个厚度不大于100埃,且0≦x、y、z、 p、q、r≦1。此AlxInyGa1-x-yNzP1-z能隙宽度必须大于 AlpInqGa1-p-qNrP1-r之能隙宽度,其导电性可以为P型,N 型,或I型;但并无须同时为P型,N型,或I型。 3.如申请专利范围第1项之发光二极体结构,其中 该数位穿透层所包含各次层之最适组成成份与厚 度各为: 次层3001:由I型氮化镓(undoped GaN)所形成,其厚度为20 ; 次层3002:由N型氮化铟镓(N-InGaN)所形成,其厚度为5 ; 次层3003:由N型氮化镓(N-GaN)所形成,其厚度为10; 次层3004:由N型氮化铟镓(N-InGaN)所形成,其厚度为10 ; 次层3005:由N型氮化镓(N-GaN)所形成,其厚度为5;以 及 次层3006:由I型氮化铟镓(undoped InGaN)所形成:其厚度 为20。 图式简单说明: 第一图为习知技术之氮化镓系发光二极体结构; 第二图为根据本发明实施例之氮化镓系发光二极 体结构; 第三图为根据本发明实施例之氮化镓系发光二极 体结构之数位穿透层之结构; 第四图为根据本发明实施例具有数位穿透层之氮 化镓系发光二极体结构vs习知技术之氮化镓系发 光二极体结构之逆向反抗电压之特性曲线比较图; 以及 第五图为根据本发明实施例具有数位穿透层之氮 化镓系发光二极体结构vs习知技术之氮化镓系发 光二极体结构之抗静电功能之特性曲线比较图。 |
