| 主权项 |
1.一种光罩,具有形成电路图形的图形区,特征在于 : 形成于图形区外周之宽度d的阻光区和形成于远离 图形区之光罩表面上的抗反射膜,其中阻光膜宽度 d满足关系式 其中n1是在光罩之光进入侧的介质折射率,n2是光 罩折射率,t是光罩厚度,是对光罩的光入射角。 2.如申请专利范围第1项的光罩,其中抗反射膜包括 多层膜。 3.如申请专利范围第1项的光罩,其中入射于光罩之 光的数値孔径不小于0.175。 4.如申请专利范围第1项的光罩,其中电路图形有双 层结构。 5.一种曝光方法,以光罩图形将基板曝光,该方法包 括下列步骤: 将光罩装入曝光设备; 将基板装入曝光设备; 使用曝光将光罩图形转移到基板, 其中光罩包括(i)形成电路图形的图形区,(ii)形成 于图形区外周之宽度d的阻光区,(iii)形成于远离图 形区之光罩表面上的抗反射膜,其中阻光膜宽度d 满足关系式 其中n1是在光罩之光进入侧的介质折射率,n2是光 罩折射率,t是光罩厚度,是对光罩的光入射角。 6.一种装置制造方法,包括下列步骤: 以形成于光罩上的电路图形将基板曝光; 将曝光基板显影; 将基板装入曝光设备, 其中光罩包括(i)形成电路图形的图形区,(ii)形成 于图形区外周之宽度d的阻光区,(iii)形成于远离图 形区之光罩表面上的抗反射膜,其中阻光膜宽度d 满足关系式 其中n1是在光罩之光进入侧的介质折射率,n2是光 罩折射率,t是光罩厚度,是对光罩的光入射角。 图式简单说明: 图1是本发明用于缩小投射曝光设备之实施例的示 意图。 图2A和2B显示在光罩周围之部分的反射光,其中图2A 显示传统光罩,图2B显示具有抗反射膜之本发明实 施例的光罩。 图3解释反射光造成之晶圆表面上的光强度分布改 变。 图4解释单层抗反射膜的反射比特性。 图5是示意图,解释以反射光照射装置区外之区域 的机率。 图6是传统曝光设备的示意图。 图7是装置制程的流程图。 图8是流程图,解释图7之程序之晶圆处理的细节。 |
