| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,包括: (a)在半导体基底上形成一虚拟闸,其侧壁具有侧壁 隔离器,且其上具有防矽化薄膜,以及在该半导体 基底的表面形成一源极/汲极区; (b)在所获得的半导体基底的整个表面上形成金属 薄膜,该半导体基底进行矽化物反应,以便只在源 极/汲极区形成矽化物层; (c)在所获得的基底上形成层际电介质薄膜,该层际 电介质薄膜的表面被移除,直到防矽化薄膜暴露为 止; (d)移除防矽化薄膜及虚拟闸,以便在层际电介质薄 膜形成沟;及 (e)在沟中薄薄地置入闸绝缘薄膜及闸电极材料薄 膜,该闸绝缘薄膜及闸电极材料薄膜被移除,直到 层际电介质薄膜的表面暴露为止,以便在沟中形成 闸电极及闸绝缘薄膜, 其中步骤(a)包括下列步骤: 形成一薄膜,以便在半导体基底上形成形成虚拟闸 、防反射薄膜及抗蚀剂薄膜; 将抗蚀剂薄膜定型; 藉蚀刻该薄膜,形成虚拟闸,以便形成以所获得之 抗蚀剂薄膜做为遮罩的虚拟闸; 移除抗蚀剂薄膜; 氧化防反射薄膜,将其转换为防矽化薄膜; 在转换之前或之后,在所获得之虚拟闸的侧壁,形 成侧壁隔离器;及 在半导体基底上形成源极/汲极区。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中防矽化薄膜为 钛氧化物。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中防反射薄膜为 '钛氮化物。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化防反射薄 膜的程序,是使用氧或臭氧之热氧化或等离子氧化 。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中金属薄膜为钛 、钴或镍。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中虚拟闸是由多 晶矽或矽氮化物制造。 图式简单说明: 图1(a)至1(k)为依据本发明之制造半导体装置方法 实施例的基本部分截面图; 图2(a)至2(k)为依据本发明之制造半导体装置方法, 另一实施例的基本部分截面图; 图3(a)至3(e)为制造半导体装置之传统方法的基本 部分截面图; 图4(a)至4(f)为制造半导体装置之另一传统方法的 基本部分截面图。 |
