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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING INTER-METAL DIELECTRIC LAYER OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060003646(A) 申请公布日期 2006.01.11
申请号 KR20040052614 申请日期 2004.07.07
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, DONG HOON
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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