| 发明名称 | 在硅衬底上生长碳化硅/氮化镓材料的方法 | ||
| 摘要 | 一种在硅衬底上生长碳化硅/氮化镓材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用硅衬底，该硅衬底作为生长氮化镓材料的基底层；2)在硅衬底上制备碳化硅外延薄膜层，以利于氮化镓的生长；3)在碳化硅外延薄膜层上面生长氮化镓材料，完成在硅衬底上生长碳化硅/氮化镓材料的制备。本发明与现有技术相比的最大优点是：成本大为降低，便于器件制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1719581A | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN200410062336.7 | 申请日期 | 2004.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈诺夫;杨霏 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在硅衬底上生长碳化硅/氮化镓材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用硅衬底，该硅衬底作为生长氮化镓材料的基底层；2)在硅衬底上制备碳化硅外延薄膜层，以利于氮化镓的生长；3)在碳化硅外延薄膜层上面生长氮化镓材料，完成在硅衬底上生长碳化硅/氮化镓材料的制备。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||