发明名称 薄膜晶体管阵列基板结构
摘要 一种薄膜晶体管阵列基板结构,是于薄膜晶体管阵列边缘控制最后一列像素的扫描配线旁增加配置一列拟电极。其中,此列拟电极重叠于最后一条扫描配线的部分会形成一个电容,此电容相当于其它条扫描配线上方的储存电容,而此列拟电极上方的液晶层会具有一液晶电容。通过此列拟电极可以补偿最后一条扫描配线所缺乏的储存电容与液晶电容。此外,本发明也可将此列拟电极连接到一电压上,并调整其重叠在最后一条扫描配线上的面积,使得最后一条扫描配线上的电容与其它扫描配线上的电容等效。
申请公布号 CN1236502C 申请公布日期 2006.01.11
申请号 CN01123964.6 申请日期 2001.08.08
申请人 瀚宇彩晶股份有限公司 发明人 钟德镇;简廷宪;李得秀
分类号 H01L29/786(2006.01);G02F1/133(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1、一种薄膜晶体管阵列基板结构,至少包括:一个基板;复数个阵列排列之像素,每一像素包括一薄膜晶体管、一像素电极、一扫描配线以及一数据配线,其中该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极,该栅极与该扫描配线连接,该源极与该数据配线连接,而该漏极与该像素电极电性连接,其特征是:自靠近该基板一侧边缘的一列像素起,其像素电极是沿着远离该侧边缘的方向延伸,且其像素电极部分的区域是延伸至相邻列扫描配线上方;以及该结构还包括复数个拟电极,位于最靠近该侧边缘的一列像素扫描配线与该侧边缘之间,这些拟电极是沿着远离该侧边缘方向延伸,且这些拟电极有部分区域延伸至最靠近该侧边缘一列像素的扫描配线上方。
地址 台湾省台北市民生东路三段115号5楼