| 发明名称 | 光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低导电率膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。 | ||
| 申请公布号 | CN1716104A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510081085.1 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 关东化学株式会社 | 发明人 | 大和田拓央;池上薰;石川典夫 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | G03F7/42(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于除去残留在干蚀刻后及灰化后的基板上的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣，该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且该组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||