| 发明名称 | 微电子模块中产生静电放电保护的方法及相应微电子模块 | ||
| 摘要 | 一种在一微电子模块中产生一静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护的方法，该微电子模块包含一半导体电路，其包含至少二独立电压供应域，其分别具有至少一电压供应连结衬垫，其与一对应的微电子模块一起揭露。在本案中，在二独立电压供应域的二电压供应连结衬垫间存有一电连结，其在该半导体电路外排定路线，且，举例来说，是藉由一连结线或是一焊接点而实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1716596A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510081061.6 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | P·佩斯;F·泽恩格 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种在一微电子模块中产生一静电放电(electrostaticdischarge，ESD)保护的方法，该微电子模块包含一半导体电路，其包含至少二独立电压供应域，其分别具有至少一电压供应连结衬垫，其中在该独立电压供应域其一的该电压供应连结衬垫与另一该独立电压供应域的至少一额外电压供应连结衬垫间，建立一ESD保护的电连结，其在该半导体电路外排定路线。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||