从基材中除去有机材料的方法

摘要

当在处理期间于适当时间与某些其它物理和化学处理方法(10，14，16和18)联用时，使用无水气态三氧化硫作为从基材表面中除去各种有机涂层、薄膜和残余物的试剂。

主权项

1.一种从基材完全除去有机涂层、薄膜、层或残余物的改进方法，其中所述基材选自半导体器件和晶片、陶瓷器件、液晶显示器件、平板显示器、印刷电路板、读/写磁头、薄膜读/写头，所述方法包括：(a)使所述有机涂层、薄膜、层或残余物经受前期化学或物理处理，以使下述步骤(d)中三氧化硫与将被除去的所述有机涂层、薄膜、层或残余物反应容易；(b)将所述基材放在室中；(c)用干燥惰性气体清洗所述室；(d)将由无水气态三氧化硫组成的蒸汽引入所述室中与所述涂层、薄膜、层或残余物反应，使所述有机涂层、薄膜、层或残余物处于所述由无水气态三氧化硫组成的蒸汽中一段预定的时间，所述基材保持在室温至400℃的温度；(e)使所述三氧化硫与所述涂层反应适当时间；(f)使所述有机涂层、薄膜、层或残余物经受溶剂漂洗；并且(g)使所述有机涂层、薄膜、层或残余物经受化学或物理后漂洗处理。