| 发明名称 | 介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中上述介电层具有由顶部部分往底部部分大体均匀地变化的密度。本发明所述介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，可允许调整金属层间介电层的密度特性以改善其步阶覆盖表现，并同时允许调整残余的金属层间介电层以改善其电性/介电常数特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1716546A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510080146.2 | 申请日期 | 2005.06.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黎丽萍;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种介电层，其特征在于所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中该介电层具有由该顶部部分往该底部部分均匀地变化的密度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||