| 发明名称 | 磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种器件性能优异的磷化硼基化合物半导体器件，其包括具有宽带隙的磷化硼基化合物半导体层。所述磷化硼基化合物半导体层包括非晶层和与非晶层结合的多晶层，并且所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。 | ||
| 申请公布号 | CN1717810A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200380104447.3 | 申请日期 | 2003.12.01 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L29/205(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种磷化硼基化合物半导体器件，包括磷化硼基化合物半导体层，所述磷化硼基化合物半导体层由非晶层和与所述非晶层结合的多晶层构成，其中所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||