半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在半导体衬底10上的第一绝缘膜26、掩埋在形成的下至源/漏扩散层22的第一接触孔28a内的第一导电塞32、形成在第一绝缘膜26上的电容器44、形成在第一绝缘膜26上并覆盖电容器44的第一氢扩散阻止膜48、形成在第一氢扩散阻止膜上且表面被平坦化的第二绝缘膜50、形成在第一氢扩散阻止膜48上且表面被平坦化的第二氢扩散阻止膜52、形成在第二绝缘膜50上的第二氢扩散阻止膜52、掩埋在形成的下至电容器44的下电极38或上电极42的第二接触孔56内的第二导电塞62、掩埋在形成的下至第一导电塞32的第三接触孔58内的第三导电塞62、以及连接到第二导电塞62或第三导电塞62的互连件64。

主权项

1.一种半导体器件，包括：晶体管，包含：形成在半导体衬底上的栅电极，且该半导体衬底与该栅电极之间形成有栅极绝缘膜；以及在该栅电极两侧的该半导体衬底内形成的源/漏扩散层；第一绝缘膜，其形成在该半导体衬底与该晶体管上；第一导电塞，其掩埋在形成的、下至该源/漏扩散层的第一接触孔内；电容器，其形成在该第一绝缘膜上，且该电容器包含下电极、形成在该下电极上的介电膜及形成在该介电膜上的上电极；第一氢扩散阻止膜，其形成在该第一绝缘膜上，覆盖该电容器，用于阻止氢的扩散；第二绝缘膜，其形成在该第一氢扩散阻止膜上，该第二绝缘膜的表面被平坦化；第二氢扩散阻止膜，其形成在该第二绝缘膜上，用于防止氢的扩散；第二导电塞，其掩埋在形成的、下至该下电极或该上电极的第二接触孔内；第三导电塞，其掩埋在形成的、下至该第一导电塞的第三接触孔内；以及互连件，其形成在该第二氢扩散阻止膜上，并连接至该第二导电塞或该第三导电塞。