| 发明名称 | 用于提高刷新特性的半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，其为了提高刷新特性，在掩膜了存储器结点的接合部的状态下，仅在位线接合部完成硼环离子注入。该方法包括如下步骤：完成用于在半导体基板内调节门限电压(Vt)的第1离子注入的步骤；在已完成所述第1离子注入的半导体基板上形成栅电极的步骤；完成用于调节使所述栅电极作为掩膜按规定角度倾斜的门限电压的第2离子注入的步骤；完成用于在所述栅电极两侧的基板区域上形成LDD区域的第3离子注入的步骤，在此，所述第1离子注入在对门限电压调节必要的全部掺杂质浓度的0～90％范围内完成，在按0～30°的角度完成所述第2离子注入的同时分别在与栅电极垂直的两方向或四方向上完成。 | ||
| 申请公布号 | CN1235282C | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN02154240.6 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 徐文植;朴性桂 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨悟 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括：完成用于在半导体基板内调节门限电压(Vt)的第1离子注入的步骤；在已完成所述第1离子注入的半导体基板上形成栅电极的步骤；在生成结构上形成感光膜图形，该感光膜图形掩蔽与电容器的存储器结点接触的基板部分；使所述感光膜图形作为掩膜，完成用于调节门限电压的、按规定角度倾斜的第2离子注入的步骤；以及完成用于在所述栅电极两侧的基板区域上形成LDD区域的第3离子注入的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||