发明名称 镓氮系半导体装置
摘要 一种具有p型层之氮化镓系半导体元件,该p型层系含有p型杂质和展现p型导电性之氮化镓化合物半导体层。P型层包含项层和位在顶层下方之内层。内层含有p型杂质元素和与其结合的氢。
申请公布号 TW200601587 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094106524 申请日期 2005.03.04
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 小早川真人;友泽秀喜;三木久幸
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本