用于非挥发性记忆体之有弹性与区域效率的行冗余

摘要

本发明揭示一种非挥发性记忆体，其中可移除记忆单元阵列中的不良行。依据本发明之另一方面，可用替代冗余行来取代该等已移除的行。此等二程序系以外部透通之方式在该记忆体上执行，因此无需藉由附加该记忆体的主机或控制器从外部来管理。该等不良行的详细目录可保留于该记忆体上。电源开启后，该列不良行系用以熔断该等不良行。该记忆体也可包含可用以取代该等不良行的若干冗余行。