| 摘要 |
本发明揭露一种提高在半导体晶圆上制造IC元件之产率与元件性能的方法。本发明方法包括：在内金属介电层(intermetal dielectric layer, IMD)中制造介层孔与中介窗插塞(via plug)；对晶圆进行CMP程序来分离中介窗插塞；将晶圆浸泡在去离子水中，与利用异丙醇(IPA)来乾燥晶圆，特别是在Marangoni型乾燥机中进行乾燥步骤。Marangoni IPA乾燥步骤可以预防在晶圆上的静电产生，也因此，得以预防带电微粒黏附在晶圆上而能提高在晶圆上制造的IC元件之产率与性能。 |
