| 主权项 |
1.一种形成图案化材料层的方法,包括: 在一基板上形成一材料层; 在该材料层上形成一图案化正型光阻层; 以该图案化正型光阻层为遮罩蚀刻该材料层; 对于该图案化正型光阻层进行一第一曝光制程;以 及 进行一第一显影制程,以移除该图案化正型光阻层 。 2.如申请专利范围第1项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该第一曝光制程所使用的光源为一紫 外光。 3.如申请专利范围第2项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该紫外光的波长系介于200奈米至400奈 米之间。 4.如申请专利范围第1项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该第一显影制程所使用的显影液为一 有机硷性溶液或一无机硷性溶液。 5.如申请专利范围第4项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该有机硷性溶液包括四甲基氢氧化铵 (TMAH)。 6.如申请专利范围第4项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该无机硷性溶液包括氢氧化钠(NaOH)或 氢氧化钾(KOH)。 7.如申请专利范围第1项所述之形成图案化材料层 的方法,其中形成该图案化正型光阻层之方法包括 : 在该材料层上形成一正型光阻层; 对于该正型光阻层进行一第二曝光制程;以及 进行一第二显影制程,以形成该图案化正型光阻层 。 8.如申请专利范围第7项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该第二曝光制程与该第一曝光制程所 使用的光源系相同。 9.如申请专利范围第7项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该第二显影制程与该第一显影制程所 使用的显影液种类系相同。 10.如申请专利范围第7项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该材料层包括一有机材料层或一无机 材料层。 11.如申请专利范围第1项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该材料层包括一介电层、一半导体层 或一导体层。 12.如申请专利范围第11项所述之形成图案化材料 层的方法,其中该导体层包括一金属层或一透明导 体层。 13.如申请专利范围第12项所述之形成图案化材料 层的方法,其中该透明导体层之材质包括铟锡氧化 物、铟锌氧化物或锌铝氧化物。 14.如申请专利范围第1项所述之形成图案化材料层 的方法,其中该图案化正型光阻层包括G-line光阻、 I-line光阻、H-line光阻或DUV光阻。 图式简单说明: 图1A至1D绘示依照本发明较佳实施例之形成图案化 材料层的方法的示意图。 |
