| 主权项 |
1.一种金氧半导体电晶体的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有一闸极结构; 于该闸极结构两侧之该基底中形成一源极/汲极延 伸区; 进行一沈积制程,以于该基底上形成一材料层; 进行一离子植入制程,以将碳离子植入该材料层中 以形成一含碳之材料层; 回蚀该含碳之材料层,以于该闸极结构之侧壁上形 成一间隙壁;以及 于该间隙壁两侧之该基底中形成源极/汲极区。 2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中该沈积制程包括: 将该基底放置于一反应炉管内;以及 于该反应炉管中引入一六氯矽烷气体、一氮气以 及一氨气,并使其相互反应而于该基底上形成该材 料层。 3.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中在该基底上形成该含碳之材料层 的步骤之前;更包括于该基底与该闸极结构上形成 一氧化矽衬层。 图式简单说明: 第1A图至第1C图系绘示本发明一较佳实施例的一种 金氧半导体电晶体之制造方法的流程剖面图。 第2A图至第2B图系绘示本发明另一较佳实施例的一 种金氧半导体电晶体之制造方法的部分流程剖面 图。 第3图系绘示在本发明之第一实施例中所形成之氮 化矽间隙壁的特性曲线图。 第4图系绘示在本发明之第一实施例中所形成之氮 化矽间隙壁以及习知制程所形成之氮化矽间隙壁 与TEOS层在乾式蚀刻制程中的蚀刻选择比间之差异 比较的直条图。 |
