| 摘要 |
一种半导体元件之制造方法，此半导体元件包括动态随机存取记忆晶胞结构，而此动态随机存取记忆晶胞结构至少包括具有嵌入式电容结构之绝缘层上有矽(Silicon On Insulator; SOI)基材。此半导体元件之制造方法包括：提供基材，此基材至少包括位于上方之第一电性绝缘层；形成第一电性导电层于第一电性绝缘层上，以形成第一电极；形成电容介电层于第一电极上；形成第二电性导电层于电容介电层上，以形成第二电极；形成第二电性绝缘层于第二电极上；以及形成单晶矽层于第二电极上，以形成绝缘层上有矽基材，其中此绝缘层上有矽基材至少包括第一电容结构。 |
