| 摘要 |
一种半导体记忆体装置的制造方法，包含下列步骤：在一半导体基底上形成复数条狭长的沟道，并以元件隔离绝缘薄膜填满每一沟道，形成元件隔离区；接着形成一隧道绝缘薄膜及一可蓄电薄膜，以便覆盖元件隔离区间的作用区；在可蓄电薄膜上形成一层际绝缘薄膜；在层际绝缘薄膜上以垂直于沟道经度方向的方向，形成复数个控制闸；在复数个控制闸间交替置放源极形成区及汲极形成区，在源极形成区中使用具有开口的抗蚀剂薄膜做为遮罩，并蚀刻源极形成区中元件隔离绝缘薄膜，以暴露沟道的表面；及完成源极形成区的等向电浆离子注入，以便在沟道表面及作用区中形成源极扩散层。 |
