| 主权项 |
1.一种测量装置,系设置在一恒温环境中,用以量测 一基板上任意两定位记号间之距离,该装置至少包 括: 一处理单元,具有记忆和计算之功能; 一平台,用以承载该基板,该平台上并具有复数个 基准记号,且该些基准记号之位置座标系一一地传 送至该处理单元;及 一感测单元,系与该处理单元电性连接,可感测该 基板上一定位记号与该平台处邻近该定位记号之 一基准记号之间的一相对距离,并将该相对距离传 送至该处理单元, 当该感测单元侦测出该基板上复数个定位记号对 应于该平台上复数个基准记号之间的相对距离,该 处理单元可计算出该基板上该些定位记号之位置 座标,以量测出该基板上任意两定位记号间之距离 。 2.如申请专利范围第1项所述之测量装置,其中该平 台之材料系为具有低膨胀系数之石英、大理石。 3.如申请专利范围第1项所述之测量装置,其中该平 台上至少具有四个基准记号。 4.如申请专利范围第1项所述之测量装置,其中该基 板之该些定位记号之数目与该平台上该些基准记 号之数目相对应。 5.如申请专利范围第1项所述之测量装置,其中该感 测单元为一电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD)。 6.一种测量方法,系用以量测一基板上任意两定位 记号间之距离,该方法包括步骤: 提供一测量装置,该装置至少包括: 一处理单元,具有记忆和计算之功能; 一平台,用以承载该基板,该平台上并具有复数个 基准记号,且该些基准记号之位置座标系储存于该 处理单元;及 一感测单元,系与该处理单元电性连接; 放置该基板于该平台上,该基板上具有复数个定位 记号; 以该感测单元感测该基板上一定位记号与该平台 处邻近该定位记号之一基准记号之间的一相对距 离,将该相对距离传送至该处理单元,并重复此步 骤以取得其他定位记号与对应基准记号的位置差 距; 以该处理单元计算出该基板上该些定位记号之位 置座标;及 该处理单元计算出该基板上任意两定位记号间之 距离。 7.如申请专利范围第6项所述之测量方法,其中以该 感测单元感测该基板上之该定位记号时,系令该基 板与该感测单元之间产生一相对位移,以得知该定 位记号与邻近该定位记号之该基准记号之间的该 相对距离。 8.如申请专利范围第6项所述之测量方法,其中该平 台系由低膨胀系数之石英所制成。 9.如申请专利范围第6项所述之测量方法,其中该感 测单元为一电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD)。 10.如申请专利范围第6项所述之测量方法,其中该 基板之该些定位记号之数目与该平台上该些基准 记号之数目相对应。 11.如申请专利范围第6项所述之测量方法,其中该 平台上至少具有四个基准记号。 12.一种测量装置,系设置在一恒温室(恒温环境)中, 用以量测一基板上任意两定位记号间之距离,该装 置至少包括: 一处理单元,具有记忆和计算之功能; 一平台,用以承载该基板,该平台上具有: 一第一基准记号,位置座标(x1,y1); 一第二基准记号,位置座标(x2,y2); 一第三基准记号,位置座标(x3,y3);和 一第四基准记号,位置座标(x4,y4); 且该些基准记号之位置座标系一一传送至该处理 单元;及 一感测单元,系与该处理单元电性连接,以感测该 基板上其中一定位记号与该平台处邻近该定位记 号之其中一基准记号之间的一相对距离,并将该相 对距离传送至该处理单元,以计算出该基板上该些 定位记号之位置座标,进而量测出该基板上任意两 定位记号间之距离, 其中,该基板上具有: 一第一定位记号,位置座标(x1+x1,y1+y1); 一第二定位记号,位置座标(x2+x2,y2+y2); 一第三定位记号,位置座标(x3+x3,y3+Y3);和 一第四定位记号,位置座标(x4+x4,y4+y4)。 13.如申请专利范围第12项所述之测量装置,其中该 平台系以具低膨胀系数之石英、大理石为材料。 14.如申请专利范围第12项所述之测量装置,其中该 感侧单元为一电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD) 。 15.一种测量方法,系用以量测一基板上任意两定位 记号间之距离,该方法包括步骤: 提供一测量装置,该装置至少包括: 一处理单元,具有记忆和计算之功能; 一平台,用以承载该基板,该平台上具有: 一第一基准记号,位置座标(x1,y1); 一第二基准记号,位置座标(x2,y2); 一第三基准记号,位置座标(x3,y3); 一第四基准记号,位置座标(x4,y4); 且该些基准记号之位置座标系一一传送至该处理 单元;及 一感测单元,系与该处理单元电性连接; 放置该基板于该平台上,该基板上具有一第一定位 记号、一第二定位记号、一第三定位记号和一第 四定位记号,且分别邻近于该平台上之该第一、该 第二、该第三和该第四基准记号; 以该感测单元感测该基板上任一定位记号与邻近 该定位记号之基准记号之间的一相对距离,将该相 对距离传送至该处理单元,并重复此步骤以取得其 他定位记号与对应基准记号的位置差距; 以该处理单元计算出该基板上该些定位记号之位 置座标,分别为: 该第一定位记号,位置座标(x1+x1,y1+y1); 该第二定位记号,位置座标(x2+x2,y2+y2); 该第三定位记号,位置座标(x3+x3,y3+y3); 该第四定位记号,位置座标(x4+x4,y4+y4);及 该处理单元计算出该基板上任意两定位记号间之 距离。 16.如申请专利范围第15项所述之测量方法,其中该 感测单元感测该基板上之任一定位记号时,系令该 基板与该感测单元之间产生一相对位移,以得知该 定位记号与邻近该定位记号之该基准记号之间的 该相对距离。 17.如申请专利范围第15项所述之测量方法,其中该 平台系由低膨胀系数之石英、大理石所制成。 18.如申请专利范围第15项所述之测量方法,其中该 感侧单元为一电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD) 。 图式简单说明: 第1图绘示一种传统的测长机之测量方式之示意图 。 第2图绘示依照本发明一较佳实施例之测量装置之 示意图。 第3图绘示依照本发明一较佳实施例之平台基准记 号与基板定位记号之示意图。 第4图为依照本发明一较佳实施例之方法流程图。 |
