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Ein integrierter Halbleiterspeicher umfasst Speicherzellen (SZ1, SZ2), in denen sich ein erster Datensatz, der mindestens ein Datum (D1a) mit einem ersten oder zweiten Datenwert (DW1, DW2) umfasst, und ein zweiter Datensatz (DS2), der mindestens ein Datum (D2a) mit dem ersten oder zweiten Datenwert (DW1, DW2) umfasst, abspeichern lässt. Der integrierte Halbleiterspeicher weist des Weiteren eine Verknüpfungsschaltung (30) auf. Die Verknüpfungsschaltung erzeugt aus den ihr eingangsseitig zugeführten Datensätzen (DS1, DS2) ausgangsseitig den dritten Datensatz (DS3), wobei anhand des dritten Datensatzes (DS3) feststellbar ist, ob ihr eingangsseitig der erste und zweite Datensatz (DS1, DS2) zugeführt worden ist. In einer Ausführungsform der Verknüpfungsschaltung erzeugt sie das Datum (D3a) des dritten Datensatzes mit dem ersten Datenwert (DW1), wenn ihr eingangsseitig der erste und zweite Datensatz zugeführt wurden. In einer anderen Ausführungsform erzeugt sie Daten des dritten Datensatzes (DS3) mit einem ersten Datenwert (DW1), wenn jeweils zwei ihr eingangsseitig zugeführte Daten des ersten und zweiten Datensatzes übereinstimmen.
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