| 发明名称 | 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 | ||
| 摘要 | 一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。 | ||
| 申请公布号 | CN1713472A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200410050003.2 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 丁颖;王圩;王书学;朱洪亮 |
| 分类号 | H01S5/34;H01S5/20;H01S5/22 | 主分类号 | H01S5/34 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||