发明名称 | 真空吸附晶圆用薄膜、吸附晶圆装置和真空吸附研磨头 | ||
摘要 | 本发明公开了一种真空吸附晶圆用薄膜,适用于研磨头,其装置含有一片状主体与数个分布于片状主体不与多孔板接触的表面的微小颗粒,其设置在对应于多孔板的孔洞的位置上。利用位于片状主体表面的颗粒去进行吸附晶圆,可以降低真空吸附晶圆用薄膜与晶圆之间的吸附力,以降低晶圆发生卸载失误的机率。 | ||
申请公布号 | CN1233506C | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
申请号 | CN02140782.7 | 申请日期 | 2002.07.24 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈慈信;高明星;林文钦;纪华斌 |
分类号 | B24B37/04;H01L21/304;B65G49/07 | 主分类号 | B24B37/04 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种真空吸附晶圆用薄膜,用于包覆一研磨头中具有多个孔洞的一多孔板的底部,其特征在于:包括:一片状主体;多个突出物,分布于片状主体与该多孔板底部接触表面的另一侧表面上,其中所述突出物设置在对应于多孔板的孔洞的位置上。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |