能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种具有硅衬底的半导体器件，其中有源区形成在两个器件隔离膜之间并且栅极形成在有源区的表面上。所述硅衬底具有在靠近所述器件隔离膜侧的所述有源区的表面下方的所述有源区中的横向蚀刻部分。绝缘膜形成在所述硅衬底的横向蚀刻部分上。导电电极形成在所述绝缘膜上，通过该导电电极施加外部电压以调整阈值电压。所述器件隔离膜形成在导电电极上。在所述器件隔离膜和所述导电电极之间不存在或存在一些空腔的袋状物。

主权项

1.一种半导体器件，其具有硅衬底，所述硅衬底具有在两个器件隔离膜之间的有源区和形成在所述有源区的表面上的栅极，所述半导体器件包括：所述硅衬底，其具有在靠近所述器件隔离膜侧的所述有源区的表面下方的所述有源区中的横向蚀刻部分；绝缘膜，其形成在所述硅衬底的所述横向蚀刻部分上；导电电极，其形成在所述绝缘膜上，其中外部电压施加到所述导电电极以调整阈值电压；以及所述器件隔离膜，其位于所述导电电极上，其中在所述器件隔离膜和所述导电电极之间不存在或存在一些袋状空腔。