| 主权项 |
1.一种具偏光强化基板之平面显示元件,依序包括: 至少一第一电极; 至少一显示作动区; 至少一第二电极; 一基板; 一偏光层,系于一高分子中添加偏光化合物所构成 ;以及 一强化保护层,系用以保护偏光层并强化基板。 2.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中基板系为透明玻璃基板及/或 透明塑胶基板。 3.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中偏光层为polyvinyl alcohol(PVA)偏 光层。 4.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中偏光层之偏光化合物系选自五 价碘离子化合物、偏光染料或具偏光之官能基的 有机分子化合物。 5.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中基板与偏光层、以及偏光层与 强化保护层系透过黏着剂来接合。 6.如申请专利范围第5项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中黏着剂为PVA系感压胶或压克力 系感压胶。 7.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中基板与偏光层之间更包括一保 护层,防止偏光化合物逸出。 8.如申请专利范围第7项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中保护层为透明高分子层或PET。 9.如申请专利范围第7项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中基板与保护层、保护层与偏光 层之间系透过黏着剂来接合。 10.如申请专利范围第9项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中黏着剂为PVA系感压胶或压克力 系感压胶。 11.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中更包括一相位差保护层,且相 位差保护层系形成于基板之上或之下。 12.如申请专利范围第11项所述之具偏光强化基板 之平面显示元件,其中相位差保护层材料系具碳酸 酯之树脂。 13.如申请专利范围第11项所述之具偏光强化基板 之平面显示元件,其中基板与相位差保护层系以一 黏着剂接合。 14.如申请专利范围第11项所述之具偏光强化基板 之平面显示元件,其中相位差保护层系一无机化合 物,以沉积的方式形成于基板与偏光层之间 15.如申请专利范围第14项所述之具偏光强化基板 之平面显示元件,其中无机化合物系氧化矽、氮化 矽或氮氧化矽。 16.如申请专利范围第11项所述之具偏光强化基板 之平面显示元件,其中相位差保护层系一透明度高 的材质。 17.如申请专利范围第1项所述之具偏光强化基板之 平面显示元件,其中显示作动区之作动机制系透过 液晶显示、电致发光显示、电浆显示、真空萤光 显示、场发射显示、电气泳动显示、电气着色显 示、变形镜片显示、聚合物散布液晶显示或有机 电激发光显示。 18.一种具偏光强化基板之有机电激发光显示元件, 依序包括: 至少一第一电极; 至少一有机发光区; 至少一第二电极; 一基板;一偏光层,系于一高分子中添加偏光化合 物所构成;以及 一强化保护层,系用以保护偏光层并强化基板。 19.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中基板系为透明玻璃 基板及/或透明塑胶基板。 20.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中偏光层为polyvinyl alcohol(PVA)偏光层。 21.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中偏光层之偏光化合 物系选自五价碘离子化合物、偏光染料或具偏光 之官能基的有机分子化合物。 22.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中基板与偏光层、以 及偏光层与强化保护层系透过黏着剂来接合。 23.如申请专利范围第22项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中黏着剂为PVA系感压 胶或压克力系感压胶。 24.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中基板与偏光层之间 更包括一保护层,防止偏光化合物逸出。 25.如申请专利范围第24项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中保护层为透明高分 子层或PET。 26.如申请专利范围第24项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中基板与保护层、保 护层与偏光层之间系透过黏着剂来接合。 27.如申请专利范围第26项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中黏着剂为PVA系感压 胶或压克力系感压胶。 28.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中更包括一相位差保 护层,且相位差保护层系形成于基板之上或之下。 29.如申请专利范围第28项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中相位差保护层材料 系具碳酸酯之树脂。 30.如申请专利范围第28项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中基板与相位差保护 层系以一黏着剂接合。 31.如申请专利范围第28项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中相位差保护层系一 无机化合物,以沉积的方式形成于基板与偏光层之 间。 32.如申请专利范围第31项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中无机化合物系氧化 矽、氮化矽或氮氧化矽。 33.如申请专利范围第28项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中相位差保护层系一 透明度高的材质。 34.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中第二电极与基板为 透明材质。 35.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中第二电极材质系选 自铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物 (IZO)或镉锡氧化物(CdSnO)至少其中之一。 36.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中有机发光区系选自 电洞注入层、电洞传递层、发光层、电子传递层 及电子注入层至少其中之一或其组合。 37.如申请专利范围第18项所述之具偏光强化基板 之有机电激发光显示元件,其中第一电极材质系选 自铝、钙、镁、铟、锡、锰、银、金及含镁之合 金至少其中之一。 图式简单说明: 图1系习知之偏光片结构图; 图2A系本发明实施例一具偏光强化基板之平面显 示元件之结构图; 图2B系本发明实施例二具偏光强化基板之平面显 示元件之结构图; 图3系本发明实施例三具偏光强化基板之平面显示 元件之结构图;以及 图4系本发明实施例四具偏光强化基板之平面显示 元件之结构图。 |
