用于化学增幅型光阻之聚合物与含有此聚合物之化学增幅型光阻组成物

摘要

本发明揭露一种用于化学增幅型光阻之聚合物，含有此聚合物之光阻组成非常适合用于化学增幅型光阻。此光阻组成物可经由KrF或ArF准分子雷射的照射而感光，且此光阻所形成的光阻图案对基底的附着性佳且与基底材质无关。而且，此种光阻在上述KrF或ArF准分子雷射的波长范围内具有很高的穿透性；对乾蚀刻有强的抗蚀刻性；且具有绝佳的感光特性、解析度与曝光特性。当聚合物内含有最大量的未饱和脂肪环时，其所组成的光阻组成物具有较强的抗蚀刻能力而且当此种光阻组成物中含有丙烯酸烷氧烷基酯单体时可以使光阻图案边缘的粗糙度减少。

主权项

1.一种用于化学增幅型光阻之聚合物,该聚合物系 由分子式1表示: 其中R1为具有1-12个碳原子的环烷基;R2为氢或是具 有1-30个碳原子的烷基;R3与R4分别为氢或是甲基;X 为乙烯醚衍生物、苯乙烯衍生物或是烯羟的衍生 物;而l、m、n为聚合物的重复次数,其中1为0.05 -0.9, m为0-0.7,n为0-0.7。 2.如申请专利范围第1项所述之聚合物,其中分子式 1所表示的聚合物中之重复次数1之单体至少为该 聚合物之所有单体含量的5%。 3.一种化学增幅型光阻组成物,其包括一共聚物,该 共聚物至少含有分子式1所表示的聚合物、一光酸 产生剂、一添加剂以及一溶剂,其中以分子式1所 表示的聚合物之含量至少占该化学增幅型光阻组 成物的3%: 其中R1为具有1-12个碳原子的环烷基;R2为氢或是具 有1-30个碳原子的烷基;R3与R4分别为氢或是甲基;X 为乙烯醚衍生物、苯乙烯衍生物或是烯羟的衍生 物;而l、m、n为聚合物的重复单元,其中1为0.05 -0.9, m为0-0.7,n为0-0.7。 4.如申请专利范围第3项所述之化学增幅型光阻组 成物,其中光酸产生剂至少包括分子式2或3表示的 化合物之一: 其中R1与R2分别为烷基、烯丙基、过氟烷基、苯基 或芳香族羟基;R3、R4与R5分别为氢、烷基、卤素、 烷氧基、芳香族羟基、硫代苯氧基、硫代烷氧基 或是烷氧羰基甲氧基;而n为1-8的整数。 5.如申请专利范围第3项所述之化学增幅型光阻组 成物,其中以该化学增幅型光阻组成物的固体含量 为100重量份为基准,该光酸产生剂的含量为0.3-10重 量份。 6.如申请专利范围第4项所述之化学增幅型光阻组 成物,其中以该化学增幅型光阻组成物的固体含量 为100重量份为基准,该光酸产生剂的含量为0.3-10重 量份。 7.如申请专利范围第3项所述之化学增幅型光阻组 成物,其中以分子式1之聚合物中重复单元1之单体 至少为该聚合物之所有单体含量的5%。 8.一种图案化的方法,包括使用紫外线、X-光或电 子束之一作为辐射光源,将申请专利申请范围第3 项所述之化学增幅型光阻组成物曝光。