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经营范围
发明名称
method of forming high voltage transistor
摘要
申请公布号
KR100538100(B1)
申请公布日期
2005.12.21
申请号
KR20030063938
申请日期
2003.09.16
申请人
发明人
分类号
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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