| 摘要 |
一种包含一半导体结构的场效电晶体装置，此半导体结构包含源极区域及汲极区域，源极区域及汲极区域在基材的水平表面之上，基材包含绝缘材料。在基材的水平表面之上的通道结构连接于汲极及源极之间，通道结构包含在一垂直鳍之上之水平的半导体通道鳍，且该平面鳍及该垂直鳍具有一T形截面。垂直鳍系和基材的水平表面接触，且平面鳍和垂直鳍的顶部接触。闸极介电层覆盖通道结构的曝露表面。闸极跨越通道闸极介电质及通道结构。然后，在形成可为半导体材料或介电材料的垂直鳍之前，在基材上沉积牺牲层，如矽锗层。平面鳍系为如矽、矽锗或锗的半导体材料。 |
