半导体装置之自动对准触点之形成方法

摘要

一种半导体装置之自动对准触点之形成方法，包含：在预先设置有闸极结构及扩散区域之基板上，覆盖一薄氮化物绝缘层；沉积一第一绝缘层，并对其进行研磨，直到暴露出闸极结构上方之氮化物绝缘层；蚀刻穿透第一绝缘层，直到露出扩散区域，以形成第一阶段触点孔；于第一阶段触点孔中形成第一阶段触点；沉积一第二绝缘层；蚀刻穿透第二绝缘层，直到露出第一阶段触点，以形成第二阶段触点孔；及于第二阶段触点孔中形成第二阶段触点。本发明利用二阶段方式形成导电触点，可有效防止过蚀刻之发生，改善字元线与位元线短路问题。