具有部分凹陷硬式罩幕之半导体装置及使用部分凹陷硬式罩幕之接触窗蚀刻制程

摘要

本发明揭示一种使用部分凹陷硬式罩幕形成接触窗之方法。首先，提供一基底其具有一元件区及一对准区，其中对准区具有一开口图案以作为一对准标记。接着，在基底上方依序形成一介电层及一复晶矽图案层，其中位于开口图案上方之复晶矽图案层具有一凹陷区而位于元件区上方之复晶矽图案层具有复数孔洞而露出下方的介电层。最后，藉由图案化的复晶矽层作为一蚀刻罩幕，以去除露出的介电层，而在元件区之介电层中形成复数接触窗。