| 摘要 |
本发明提供半导体在绝缘体上(SOI)之结构，其包括大面积SOI结构，其具有一个或多个由实质上单晶半导体层(15)(例如含有掺杂剂之矽)所构成之区域，其连接至由氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷所构成之支撑基板(20)。氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷优先地为透明的以及应变点为小于1000℃，在250℃之电阻为小于或等于1016欧姆–公分，以及含有正离子(即硷金属或硷土金属离子)，其能够在玻璃或玻璃陶瓷内移动以反应提高温度下(例如300–1000℃)之电场。半导体层(15)与支撑基板(20)间之黏附强度至少为8焦耳／平方米。半导体层(15)可包含混合区域(20)，在其中半导体材料与来自玻璃或玻璃陶瓷之氧离子反应。支撑基板(20)优先地包含具有减少移动性正离子浓度之耗尽区域(23)。 |
