发明名称 具额外层之单晶矽感测器及其制造方法
摘要 一种以绝缘层上覆矽为基材的微机电系统元件,其具有基础层、元件层,与介于基础层与元件层间之绝缘层。此元件并有部份与元件层相隔之沈积层。元件层系介于绝缘层与沈积层之间。
申请公布号 TW200540102 申请公布日期 2005.12.16
申请号 TW094105972 申请日期 2005.03.01
申请人 亚德诺公司 发明人 纽汤玛;布尼翰
分类号 B81B7/00;G01P15/02 主分类号 B81B7/00
代理机构 代理人 黄庆源;陈彦希
主权项
地址 美国