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发明名称 REDUNDANCY CIRCUIT OF TWIST BITLINE SCHEME MEMORY DEVICE AND REPAIR METHOD OF DEFECT CELL
摘要
申请公布号 KR20050117722(A) 申请公布日期 2005.12.15
申请号 KR20040042911 申请日期 2004.06.11
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 MIN, YOUNG SUN;KIM, NAM JONG
分类号 H01L21/8242;G11C7/18;G11C8/00;G11C11/22;G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/4097;G11C29/00;G11C29/04;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/406 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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