| 发明名称 | 晶体管结构制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明与一种用以制造一晶体管结构的方法有关，其包含具有不同集极宽度的至少一第一与第二双极晶体管。本发明特征于在不同的掺杂区域间的所有接点具有明显的接口。在这个情况下，举例来说，一第一集极区域2.1适合用来作为具有高限制频率f<SUB>T</SUB>的一高频率的晶体管，而依第二集极区域2.2则适合用来作为具有增加的崩溃电压的一高压晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1708847A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200380102301.5 | 申请日期 | 2003.10.24 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·贝克;R·拉奇纳;T·梅斯特;H·沙弗;M·塞克;R·斯坦格 |
| 分类号 | H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/08 | 主分类号 | H01L21/8222 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用以制造一晶体管结构的方法，所述的晶体管结构包含具有不同集极宽度(C1、C2)的至少一第一与第二双极晶体管，A)提供一半导体基板(1)；B)将所述的第一双极晶体管的至少一第一埋藏层(5.1)与所述的第二双极晶体管的一第二埋藏层(5.2)引入所述的半导体基板(1)中；以及C)在所述的第一埋藏层(5.1)上产生具有一第一集极宽度(C1)的至少一第一集极区域(2.1)，以及在所述的第二埋藏层(5.2)上产生具有一第二集极宽度(C2)的一第二集极区域(2.2)，其中a)为了产生所述的第二集极宽度(C2)，于所述的第二埋藏层(5.2)上产生具有一第一厚度(C3)的一第一集极区(2.2.1)，以及b)于所述的第一集极区(2.2.1)上产生具有一第二厚度(C4)的一第二集极区(2.2.2)；以及c)产生至少一绝缘区域(4)，以使至少所述的集极区域(2.1、2.2)相互绝缘。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||