具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管

摘要

根据本发明的一种金氧半导体(MOS)晶体管，具有形成在一绝缘体硅(SOI)基板(20)的一半导体层(18)中的一源极区域(12)，一漏极区域(16a，16b)，以及一信道区域(14)，且该SOI基板乃具有一半导体基板(24)位在该半导体层(18)下方，以及一绝缘层位在半导体层(18)及半导体基板(24)间，而该漏极或源极区域(12，16a，16b)乃是藉由一穿透该半导体基板(24)的一穿孔而被电连接至一位在该半导体基板(24)远离该绝缘层(22)的一侧的上的一后方接触。本发明中心想法乃在于，在不需要限制应用范围的情形下，藉由将一穿孔自该源极或该漏极区域引导跨越该绝缘层以及该半导体基板两者再到达待电连接至该区域的一后方接触，而获得一MOS晶体管的一简单可接触性，因为，藉此，该等半导体基板的材质特性需求，例如，掺质以及传导性，即变得不需要或是会被降低。

主权项

1.一种MOS晶体管，具有形成在一SOI基板(20)的一半导体层(18)中的一源极区域(12)，一漏极区域(16a，16b)，以及一信道区域(14)，而该SOI基板则是具有一半导体基板(24)位在该半导体层(18)下方，以及一绝缘层位在该半导体层(18)以及该半导体基板(24)间，其中，该漏极或源极区域(16a，16b，12)乃透过一穿透该半导体基板(24)的一穿孔而被电连接至一形成在该半导体基板(24)远离该绝缘层(22)的一侧的上的一后方接触。