发明名称 薄膜形成设备
摘要 本发明涉及一种薄膜形成设备,即,一种例如在半导体晶片或液晶显示器(LCDs)的生产过程中,用于在衬底上形成多种材料的薄膜的设备。薄膜形成设备包括衬底支撑部和腔,衬底支撑部用于安装上面形成有薄膜的衬底,腔封闭衬底支撑部,并具备适当的操作条件。然后,通过把例如铟,锡,铅或锑的延展金属材料涂敷到金属或合成树脂基材上构成的吸收装置被连接到薄膜形成设备中除了衬底之外的部件表面上。从而,可能从根本上防止由于在设备内除了衬底之外的部件的表面上形成并脱落的薄膜部分粘附到衬底,而导致的薄膜形成失败。
申请公布号 CN1708830A 申请公布日期 2005.12.14
申请号 CN02830032.7 申请日期 2002.12.14
申请人 TMTech株式会社 发明人 尹柱
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 蔡胜利
主权项 1.一种薄膜形成设备(100),包括衬底支撑部(10)和腔(30),所述衬底支撑部(10)用于安装上面将形成薄膜的衬底(P),所述腔(30)封闭所述衬底支撑部,并具备适当的操作条件,包括:吸收装置(S),其连接到所述薄膜形成设备内除了所述衬底(P)之外的各部件的表面上。
地址 韩国庆尚北道