| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:第1导电型基板;第1结构,系具有一第1导电层形成于该基板之第1区域主面上,及一第1绝缘膜形成于该基板和该第1导电层之间;第2结构,系具有一第2导电层形成于该基板之第2区域主面上,及一第2绝缘膜形成于该基板和该第2导电层之间;第1宽度之第1侧壁氧化膜,系形成于该第1导电层之侧面者;第2宽度之第2侧壁氧化膜,较该第1宽度为宽,系形成于该第2导电层之侧面者;第2导电型之一对第1杂质区域,其间夹置位于该第1结构之下的该基板之一部份,及其系形成在该基板之该第1区域之该主面中;该第2导电型之一对第2杂质区域,其间夹置位于该第2结构之下的该基板之另一部份,及其系形成在该基板之该第2区域之该主面中;及第1电晶体,包含该第1结构及该对第1杂质区域,其系为具有较强调电流驱动能力甚于操作速度能力之电晶体,以及第2电晶体,包含该第2结构及该对第2杂质区域,其系为具有较强调操作速度能力甚于电流驱动能力之电晶体,其中,俯视下之该第2导电层和该对第2杂质区域互相重叠之程度,系较俯视下之该第1导电层和该对第1杂质区域互相重叠之程度为小,该第1结构更具有形成于该第1导电层上之第3导电层,且该第3导电层长度较该第1导电层大,该第2结构更具有形成于该第2导电层上之第4导电层,且该第4导电层长度较该第2导电层大,及该第2侧壁氧化膜自该第4导电层之侧表面位置突出。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第1及第2导电层为半导体层;及该第3及第4导电层为金属层。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该第1及第2导电层为半导体层;及该第3及第4导电层为金属-半导体化合物层。图式简单说明:图1为显示本发明实施形态1之半导体装置结构之剖面图。图2为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图3为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图4为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图5为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图6为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图7为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图8为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图9为显示本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图10为显示本发明实施形态2之半导体装置结构之步骤流程剖面图。图11为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图12为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图13为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图14为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图15为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图16为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图17为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图18为显示本发明实施形态2之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图19为显示本发明实施形态3之半导体装置结构之剖面图。图20为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图21为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图22为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图23为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图24为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图25为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图26为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图27为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图28为显示本发明实施形态3之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图29为显示本发明实施形态4之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图30为显示本发明实施形态4之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图31为显示本发明实施形态4之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图32为显示本发明实施形态5之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图33为显示本发明实施形态5之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图34为显示本发明实施形态5之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图35为显示本发明实施形态6之半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图36为显示习知半导体装置结构之剖面图。图37为显示习知半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图38为显示习知半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图39为显示习知半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。图40为显示习知半导体装置之制造方法之步骤流程剖面图。 |
