发明名称 散热型球格阵列封装构造
摘要 一种散热型球格阵列封装构造,主要包含有一可挠性基板、一晶片、一密封胶体、一散热片以及复数个外连接装置,该晶片系装设于该可挠性基板之下表面并经由该可挠性基板电性连接至该些外连接装置,该散热片系设于该可挠性基板之上表面,以利支撑该些外连接装置,且该些外连接装置系设于该可挠性基板之下表面并且位于该晶片之其中两对称侧面之外围。
申请公布号 TWI245387 申请公布日期 2005.12.11
申请号 TW093125407 申请日期 2004.08.24
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕达 发明人 李宜璋;刘安鸿;赵永清;李耀荣
分类号 H01L23/36 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 1.一种散热型球格阵列封装构造,包含:一可挠性基板,其系具有一上表面以及一下表面,并且该可挠性基板系包含有一线路图案;一晶片,其系设于该可挠性基板之下表面,该晶片系具有一主动面、一背面以及复数个在该主动面与该背面之间之侧面,并且该晶片系包含有复数个在该主动面之焊垫;复数个内导接元件,其系连接该晶片之该些焊垫至该可挠性基板之线路图案;一密封胶体,其系密封该些内导接元件;一散热片,其系贴设于该可挠性基板之上表面;及复数个外连接装置,其系设于该可挠性基板之下表面并且位于该晶片之其中两侧面之外围。2.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该晶片邻近该些外连接装置之该两侧面系为较长侧面。3.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该些外连接装置系包含有焊球。4.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该晶片系为记忆体晶片。5.如申请专利范围第4项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该晶片系为一频率高于400Mhz之动态随机存取记忆体晶片。6.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该晶片之主动面与该可挠性基板之下表面之间系形成有一黏晶胶。7.如申请专利范围第6项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该黏晶胶系由一B阶固化胶所固化成形。8.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该晶片之背面系显露于该密封胶体。9.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该些内导接元件系为凸块。10.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该些内导接元件系为焊线。11.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该线路图案系为单层结构,使得该可挠性基板构成为一单层软性印刷电路板。12.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该可挠性基板系具有一开孔,以利该些内导接元件之连接与该密封胶体之形成。13.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该散热片系具有一让位槽,对应于该密封胶体。14.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该密封胶体系为一种热导介面物质(Thermal Interface Material, TIM)。15.如申请专利范围第1项所述之散热型球格阵列封装构造,其中该密封胶体系与该散热片为热耦合连接(thermal coupling)。图式简单说明:第1图:一种习知散热型球格阵列封装构造之截面示意图。第2图:另一种习知散热型球格阵列封装构造之截面示意图。第3图:依据本发明之第一具体实施例,一种散热型球格阵列封装构造之截面示意图。第4图:依据本发明之第一具体实施例,该散热型球格阵列封装构造之底面示意图。第5图:依据本发明之第二具体实施例,一种散热型球格阵列封装构造之截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号