| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,将两片以上浸入蚀刻液的圆板状元件保持在板面相向的状态,一边旋转上述元件,一边进行蚀刻,其特征在于:在上述各元件之间配置非旋转元件。2.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中,上述非旋转元件略呈圆板状。3.如申请专利范围第1或2项之蚀刻方法,其中,上述非旋转元件的表面积大小为上述元件的表面积大小的90%~105%。4.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中,上述元件为半导体晶圆。5.一种蚀刻装置,具有复数根杆子,为了使充填有蚀刻液之蚀刻槽和复数个圆板状元件呈板面相向的状态且使上述各元件保持在可旋转的状态,该杆子连接至上述各元件的外周且在自由旋转的状态下受到支持,其特征在于:在上述元件支持装置所支持的上述各元件之间的位置上配置有非旋转元件。6.如申请专利范围第5项之蚀刻装置,其中,其进一步具有以和上述杆子平行的方式受到固定的支柱,在上述支柱上固定有上述非旋转元件。7.如申请专利范围第5或6项之蚀刻装置,其中,上述非旋转元件略呈圆板状。8.如申请专利范围第5项之蚀刻装置,其中,上述非旋转元件的表面积大小为上述元件的表面积大小的95%~105%。9.一种非旋转元件,在一种蚀刻装置中,该蚀刻装置具有复数根杆子,为了使充填有蚀刻液之蚀刻槽和复数个圆板状元件呈板面相向的状态且使上述各元件保持在可旋转的状态,该杆子连接至上述各元件的外周且在自由旋转的状态下受到支持,非旋转元件取代上述元件受到上述杆子的支持,其特征在于:具备一突起部,其可阻止非旋转元件在其外周旋转。10.如申请专利范围第9项之非旋转元件,其中,上述非旋转元件略呈圆板状。11.如申请专利范围第9或10项之非旋转元件,其中,上述非旋转元件的表面积大小为上述元件的表面积大小的95%~105%。12.如申请专利范围第9项之非旋转元件,其中,上述非旋转元件由聚丙烯所制成。13.一种半导体晶圆制造方法,包含一蚀刻制程,该制程将两片以上浸入蚀刻液的晶圆保持在板面相向的状态,一边旋转上述晶圆,一边进行蚀刻,其特征在于:配置有一元件,该元件给予相邻接之各晶圆间的蚀刻液液流一些变化。图式简单说明:第1图为从正面观看第1实施型态之蚀刻装置的纵向剖面图。第2图为从侧面观看第1实施型态之蚀刻装置的纵向剖面图。第3图(a)为第1实施型态中之左支持臂60及左托架62的纵向剖面图,第3图(b)为右支持臂70及右托架72的纵向剖面图。第4图(a)为第1实施型态中之桶子的纵向剖面图,第4图(b)为第1图的A部的放大图。第5图为从正面观看第2实施型态之蚀刻装置的纵向剖面图。第6图(a)为第2实施型态中之左支持臂160及左托架162的纵向剖面图,第6图(b)为右支持臂170及右托架172的纵向剖面图。第7图(a)为第2实施型态中之桶子的纵向剖面图,第7图(b)为第7图(a)的B-B'剖面图。第8图(a)~(b)为可使用于本发明之单元板的变形范例。第9图(a)~(c)系在单元板比晶圆大的情况下和比晶圆小的情况下,分别在相同程度的情况求取蚀刻后的晶圆SFQR,再将之平均化和视觉化。第10图(a)~(d)显示使用习知之蚀刻装置对25片晶圆进行蚀刻之后再从蚀刻后的25片晶圆取样的资料。第11图(a)~(d)显示使用本发明之蚀刻装置对20片晶圆进行蚀刻之后再从蚀刻后的20片晶圆取样的资料。第12图为从正面观看习知之蚀刻装置的纵向剖面图。 |
