| 主权项 |
1.一种具增层结构之晶圆级半导体封装件,系包括:一硬质底座;一硬质框架,其具有至少一贯穿孔,且固定于该硬质底座上;至少一晶片,其系收纳于该硬质框架之贯穿孔中而按置于该硬质底座上,并与该硬质框架间形成有一间隙;一介质,其系充填于该晶片与硬质框架间所形成之间隙中;一增层结构,其系形成于该硬质框架及晶片上,并与该晶片形成电性连接关系;以及多数导电元件,其系电性连接至该增层结构,以供该晶片藉之与外界装置电性连接。2.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该硬质框架之厚度相同于该晶片之厚度。3.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该贯穿孔系一矩形孔。4.如申请专利范围第3项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该贯穿孔之角端系予圆角化。5.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该硬质底座系选自由玻璃材料、金属材料及热固性材料所组成之组群中之一者所制成。6.如申请专利范围第1项或第5项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该硬质框架系选自由玻璃材料、金属材料及热固性材料所组成之组群中之一者所制成。7.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该介质系选自由矽胶环氧树脂及聚亚醯胺树脂所组成之组群中之一者。8.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该导电元件系焊球。9.如申请专利范围第1项之具增层结构之晶圆级半导体封装件,其中,该硬质底座于每一该晶片之对应位置上具有至少一通孔。10.一种具增层结构之晶圆级半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一由多数成阵列方式排列之具贯穿孔之硬质框架所构成之模组板;将该模组板固定于一硬质底座上;在每一贯穿孔中置入至少一晶片,使之承载于该硬质底座上,且今该晶片与模组板之对应硬质框架间形成有一预设之间隙;充填一介质至该间隙中,以使该晶片与硬质框架为该介质所分隔间;形成一增层结构于该模组板与晶片上,并使该增层结构电性连接至该晶片,且令复数个导电元件导电连接至该增层结构;以及进行切单作业以形成该具增层结构之晶圆级半导体封装件。11.如申请专利范围第10项之制法,其中,该介质系藉由点胶方式充填入晶片与硬质框架间的间隙。12.如申请专利范围第10项之制法,其中,该硬质框架系选自由玻璃材料、金属材料及热固性材料所组成之组群中之一者所制成。13.如申请专利范围第10项之制法,其中,该介质系选自由矽胶、环氧树脂及聚亚醯胺树脂所组成之组群中之一者。14.如申请专利范围第10项之制法,其中,该导电元件系焊球。15.如申请专利范围第10项之制法,其中,该硬质底座于对应各该晶片之位置形成有至少一通孔。16.如申请专利范围第15项之制法,其中,在该硬质框架之每一贯穿孔中置入至少一该晶片后,系经过该硬质底座之通孔利用真空固定该晶片。17.一种具增层结构之晶圆级半导体封装件之制法,系包括下列步骤:准备一硬质底座;准备一由多数成阵列方式排列之具贯穿孔之硬质框架所构成之模组板;在该硬质底座上,于对应该模组板之每一该贯穿孔位置上放置至少一晶片;将该模组板固定于该硬质底座上,且令该晶片与模组板之对应硬质框架间形成有一预设之间隙;充填一介质至该间隙中,以使该晶片与硬质框架为该介质所分隔间;形成一增层结构于该模组板与晶片上,并使该增层结构电性连接至该晶片,且令复数个导电元件导电连接至该增层结构;以及进行切单作业以形成该具增层结构之晶圆级半导体封装件。18.如申请专利范围第17项之制法,其中,该介质系藉由点胶方式充填入晶片与硬质框架间的间隙。19.如申请专利范围第17项之制法,其中,该硬质框架系选自由玻璃材料、金属材料及热固性材料所组成之组群中之一者所制成。20.如申请专利范围第17项之制法,其中,该介质系选自由矽胶、环氧树脂及聚亚醯胺树脂所组成之组群中之一者。21.如申请专利范围第17项之制法,其中,该导电元件系焊球。22.如申请专利范围第17项之制法,其中,该硬质底座于对应各该晶片之位置形成有至少一通孔。23.如申请专利范围第22项之制法,其中,在该硬质框架之每一贯穿孔中置入至少一该晶片后,系经过该硬质底座之通孔利用真空固定该晶片。图式简单说明:第1图系本发明第一实施例之晶圆级半导体封装件之剖视图。第2A至2F图系第1图所示之晶圆级半导体封装件之制法的步骤流程示意图。第3A至3B图系第1图所示之晶圆级半导体封装件于形成增层结构前之步骤的另一实施态样之流程示意图。第4图系本发明第三实施例之晶圆级半导体封装件之剖视图。第5图系本发明之晶圆级半导体封装件所使用之硬质框架之另一实施态样的正视图。第6图系先前技术之晶圆级半导体封装件之剖视图。第7图系先前技术之另一实施态样之晶圆级半导体封装件之剖视图。 |
