发明名称 RESISTIVE MEMORY CELL ARRANGEMENT
摘要 <p>Die Erfindung betrifft eine Speicherzellen-Anordnung mit einer Mehrzahl von Wort- (WL) und Bitleitungen (BL) und wenigstens einer mit einer der Bitleitungen elektrisch leitend verbundenen Kette (8) von in Serie geschalteten Speicherelementen (6), welche Speicherelemente (6) jeweils aus einer resistiven Speicherzelle (1), die zwischen einem niedrigohmigen AN-Zustand und einem hochohmigen AUS-Zustand geschaltet werden kann, und einem mit der resistiven Speicherzelle (1) in Parallelschaltung elektrisch leitend verbundenen Transistor (4) aufgebaut sind, wobei der AN-Widerstand des in Durchlass geschalteten Transistors (4) eines Speicherelements (6) kleiner ist als der AN-Widerstand der in ihren niedrigohmigen AN-Zustand geschalteten Speicherzelle (1), und wobei jeder Transistor (4) einer jeweiligen Kette (8) mit einer der Wortleitungen elektrisch leitend verbunden ist.</p>
申请公布号 WO2005117026(A1) 申请公布日期 2005.12.08
申请号 WO2005DE00928 申请日期 2005.05.20
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;HAPP, THOMAS 发明人 HAPP, THOMAS
分类号 G11C16/02;H01L27/24;(IPC1-7):G11C16/02 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
地址