用于制造具有多栅氧化膜的半导体器件的方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一区形成第一厚度的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第一栅极；以及在半导体衬底和第一栅极上形成不同于第一厚度的第二厚度的第二绝缘膜。然后，该方法包括：在第二氧化膜上形成导电膜；以及分别在第一区的导电膜上和不同于第一区的第二区的导电膜上形成第一抗蚀剂图形和第二抗蚀剂图形。然后，该方法包括：利用第一抗蚀剂图形作为掩模去除导电膜，以通过第二绝缘膜形成覆盖第一栅极的第二栅极；以及利用第二抗蚀剂图形作为掩模去除导电膜，以在第二区的第二绝缘膜上形成第三栅极。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一区形成第一厚度的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第一栅极；在所述半导体衬底和所述第一栅极上形成不同于第一厚度的第二厚度的第二绝缘膜；在所述第二氧化膜上形成导电膜；分别在所述第一区的所述导电膜上和不同于所述第一区的第二区的所述导电膜上形成第一抗蚀剂图形和第二抗蚀剂图形；利用第一抗蚀剂图形作为掩模去除所述导电膜，以通过所述第二绝缘膜形成覆盖所述第一栅极的第二栅极；以及利用第二抗蚀剂图形作为掩模去除所述导电膜，以在所述第二区的所述第二绝缘膜上形成第三栅极。