| 发明名称 | 光生伏打元件和光生伏打器件 | ||
| 摘要 | 作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。 | ||
| 申请公布号 | CN1230917C | 申请公布日期 | 2005.12.07 |
| 申请号 | CN02143307.0 | 申请日期 | 2002.09.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 丸山荣治;马场俊明 |
| 分类号 | H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/04 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 1、一种光生伏打元件，包括：包含非晶半导体或微晶半导体的半导体层；由掺杂杂质的氧化铟膜构成的透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述半导体层的光入射侧上；形成在所述透明导电膜表面上的集电极；形成在所述半导体层背面的背电极；以及其中，所述透明导电膜的(222)晶面取向度不小于1.0。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||