半导体装置之制造方法

摘要

知技术中，MOSFET系在元件区域形成后，于阻障(barrier)金属层连续形成配线层，而进行氢气烧结(sintering)。但是，由于阻障层之吸留特性，在n通道型之情况下，阈值电压会下降。因此，有提高通道层之杂质浓度，无法减少导通电阻之问题。本发明系在阻障金属层形成后，在层间绝缘膜上之阻障金属层设置开口部，在配线会形成后进行氢气烧结处理。藉此，到达基板之氢气量会进一步增加，而抑制阈值电压降低。由于亦可减低通道层之杂质浓度，因此可减低导通电阻。