发明名称 流动型薄膜沉积设备及其注射器组件
摘要 所提供的是一种流动型薄膜沈积设备及其注射器组件。该薄膜沈积设备系包含有:一容室,其具有一通道及一容室盖,该通道系被形成在容室的一侧,用于容许晶圆可以通过其间而进出,该容室盖系可拆卸地被装配至该容室;一反应器,其系被安装在容室内部且具有一其中容纳有晶圆的反应器主体及一被放置于反应器主体之顶部上的反应器盖;一晶圆块,其系可拆卸地被配置于反应器内部,用于容许晶圆可以被安装在其上及加热该晶圆;一盖举升单元,用于举起反应器盖,以开启或关闭反应器主体;一晶圆举升单元,用于举起被安装在晶圆块上的晶圆;一注射器组件,其系被配置在反应器主体的一侧,用于注射一种反应气体及/或惰性气体;以及一气体出口,其系被配置在反应器主体的另一侧,用于排出被导入的反应气体及/或惰性气体。一个小于或等于十个堆放之晶圆的空间系被形成于反应器内部。
申请公布号 TWI244686 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW092124314 申请日期 2003.09.03
申请人 IPS股份有限公司 发明人 朴永薰;林弘周;白春金;许真弼;李相镇;安铁贤;庆炫秀;李相奎;张镐承
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种用于流动型薄膜沈积设备之注射器组件,该流动型薄膜沈积设备系藉由将一种反应气体从晶圆的一侧流动到另一侧而沈积薄膜,该注射器组件包含有:一注射器,一第一流动路径与一第二流动路径系彼此平行地形成于其中;以及一气体分布器,其系被配置在注射器前方,并且具有一个被形成于其中的扩散部分与形成于其中的复数个注射洞孔,扩散部分系用于扩散从第一流动路径与第二流动路径注射的反应气体,该等注射洞孔系用于将扩散部分所扩散的反应气体朝向晶圆注射。2.如申请专利范围第1项所述之注射器组件,其中该注射器更具有一第一微型平坦流动路径及一第二微型平坦流动路径,其系与第一流动路径及第二流动路径相连通且对扩散部分开放。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之注射器组件,其中第一流动路径与第二流动路径系以环形的形式被配置在注射器内部,且被分别地连接至一第一反应气体供应管线与一第二反应气体供应管线。4.如申请专利范围第3项所述之注射器组件,其中该气体分布器的扩散部分具有形成于其中的一第一倾斜表面及一第二倾斜表面,用于容许所注射的反应气体能够顺利流过该等复数个注射洞孔。5.一种流动型薄膜沈积设备,其系包含有:一容室,其具有一通道及一容室盖,该通道系被形成在该容室的一侧,用于容许晶圆可以经由该通道而进出,而该容室盖系可拆卸地被装配至该容室;一反应器,其系被安装在室的内部且具有一反应器主体及一安置于反应器主体顶部上的反应器盖,而晶圆系被容置于该反应器主体之中;一晶圆块,可拆卸地配置于反应器内部,用于允许晶圆安装在其上及加热晶圆;一盖举升单元,用于举起反应器盖,以开启或关闭反应器主体;一晶圆举升单元,用于举起安装在晶圆块上的晶圆;一注射器组件,其系被配置在反应器主体的一侧,用于注射一种反应气体及/或惰性气体;及一气体出口,其系配置在反应器主体的另一侧,用于排出一种被导入的反应气体及/或惰性气体。6.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中反应器主体具有一个沿着该反应器主体外部周围及晶圆块外部而形成的气体帘幕沟槽,使得一种惰性气体会流过气体帘幕沟槽或一个真空会形成于气体帘幕沟槽中。7.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中晶圆块包括一用于将热能应用至晶圆的圆形基材加热板及一用于支撑圆形基材加热主体的圆形基材加热板支撑件。8.如申请专利范围第7项所述之流动型薄膜沈积设备,其中该晶圆块更包括有一安装面板,其系被配置在圆形基材加热板上方且具有一形成于其上的安装部分,而晶圆系被安装于该安装部分上。9.如申请专利范围第7项所述之流动型薄膜沈积设备,其中一陶瓷环系被插置于圆形基材加热板与反应器主体之间,用以防止圆形基材加热板所产生的热被传送到反应器主体。10.如申请专利范围第7项所述之流动型薄膜沈积设备,其中热传防止板系被配置在圆形基材加热板下方,用以防止圆形基材加热板所产生的热被传送至容室。11.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中盖举升单元系被配置于容室或反应器主体中,且包括有一第一汽缸,该第一汽缸具有第一举升杆件与举升栓钉,举升栓钉的位置系对应于反应器盖的反应器盖支撑部分且与第一杆件互相扣锁。12.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中该注射器组件系包括有:一注射器,其中一第一流动路径与一第二流动路径互相平行地形成于其中;及一气体分布器,其具有一形成于其中的扩散部分与形成于其中的复数个注射洞孔,扩散部分用于扩散从第一流动路径与第二流动路径被注射的反应气体,该等注射洞孔系用于将扩散部分所扩散的反应气体朝向晶圆注射。13.如申请专利范围第12项所述之流动型薄膜沈积设备,其中该注射器更具有一第一微型平坦流动路径及一第二微型平坦流动路径,其系与第一流动路径及第二流动路径连通且对于扩散部分开放。14.如申请专利范围第13项所述之流动型薄膜沈积设备,其中第一流动路径与第二流动路径系以环形形式被配置在注射器内部,且被分别连接至一第一反应气体供应管线与一第二反应气体供应管线。15.如申请专利范围第12项所述之流动型薄膜沈积设备,其中气体分布器的扩散部分具有形成于其中的一第一倾斜表面及一第二倾斜表面,用以容许所注射的反应气体可以顺利流过该等注射洞孔。16.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中该气体出口包括一安装在反应器主体另一侧的抽送护罩、一耦接至抽送护罩且具有形成于其中之复数个耦接洞孔的抽送轮廓控制器、以及复数个插入物,该等插入物系被插入耦接洞孔,且具有形成于其中之不同直径的复数个抽送洞孔。17.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中一个顶部支持板及/或一背部护罩系被插置于安装部分与注射器组件之间,用以调整安装部分与注射器组件之间的距离。18.如申请专利范围第5项所述之流动型薄膜沈积设备,其中当反应器盖被放置在该反应器主体上时,一个小于或等于十个堆放之晶圆的空间系被形成于该反应器内部。图式简单说明:图1是根据本发明之流动型薄膜沈积设备的分解立体图;图2是图1中之流动型薄膜沈积设备的侧边剖面图;图3是图1中之容室的立体图;图4是被配置在图3之容室中之反应器与盖举升单元的立体图;图5是图4中之反应器主体的立体图;图6是被配置在图5之晶圆块之一侧处的陶瓷环及被配置在晶圆块下方的热传防止板的立体图;图7是用于图1之流动型薄膜沈积设备的注射器组件的立体图;图8是图7中之注射器的立体图;图9是图8之注射器中之第一流动路径与第二流动路径的示意图;图10是图7之气体分布器的立体图;图11是说明一个路线的立体图,而在图7中之注射器组件中流动的反应气体系通过该路线;图12是一个用于图1中之流动型薄膜沈积设备之气体出口的立体图;图13为配置在图1及图2之反应器盖上之顶部支持板的立体图;以及图14为配置在图1与图2之反应器中之背部护罩的立体图。
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