| 主权项 |
1.一种富含选择之高级钻石样成分,其不含富含未经取代反-四金刚烷,亦不含富含环六金刚烷,其中该富含选择之高级钻石样成分呈现至少25wt%之纯度。2.一种富含一种或多种选择高级钻石样成分之组合物,其中一种或多种选择之高级钻石样成分包括组合物之至少1wt%,其条件为当仅有一种选择之高级钻石样成分时,其不为未经取代之反-四金刚烷亦不为未经取代之环六金刚烷。3.如申请专利范围第2项之组合物,其中一种或多种选择之高级钻石样成分包括组合物之至少10wt%。4.如申请专利范围第2项之组合物,含50至100wt%之一种或多种选择之高级钻石样成分。5.如申请专利范围第2项之组合物,含70至100wt%之一种或多种选择之高级钻石样成分。6.如申请专利范围第2项之组合物,含95至100wt%之一种或多种选择之高级钻石样成分。7.如申请专利范围第2项之组合物,含99至100wt%之一种或多种选择之高级钻石样成分。8.如申请专利范围第2-7项中任一项之组合物,其中选择高级钻石样成分之一种或多种为单一选择之高级钻石样成分。9.一种包括相对于钻石样总量富含一种或多种经选择高级钻石样成分之钻石样组合物,其中钻石样总量之至少25wt%为一种或多种经选择之高级钻石样,其条件为当仅有一种选择之高级钻石样成分时,其不为未经取代之反-四金刚烷,亦不为环六金刚烷。10.如申请专利范围第9项之组合物,其中之一种或多种经选择之高级钻石样成分为在单一钻石样族中之许多成分。11.如申请专利范围第9项之组合物,其中一种或多种经选择高级钻石样成分为单一选择之高级钻石样成分。12.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物,其中经选择之高级钻石样成分包括一种或多种四金刚烷成份。13.如申请专利范围第12项之组合物,其中一种或多种四金刚烷成份为单四金刚烷成份。14.如申请专利范围第13项之组合物,其中单四金刚烷成份为异-四金刚烷。15.如申请专利范围第13项之组合物,其中单四金刚烷成份为螺旋-四金刚烷。16.如申请专利范围第13项之组合物,其中单四金刚烷成份为螺旋-四金刚烷之单一立体异构物。17.如申请专利范围第12项之组合物,其中四金刚烷成份包括经取代之四金刚烷成份。18.一种富含之异-四金刚烷,其呈现至少25wt%之纯度。19.一种富含之螺旋-四金刚烷立体异构物A,其呈现至少25wt%之纯度。20.一种富含之螺旋-四金刚烷立体异构物B,其呈现至少25wt%之纯度。21.如申请专利范围第18-20项中任一项之富含四金刚烷,其为结晶态。22.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择之高级钻石样成分包括一种或多种五金刚烷成份。23.如申请专利范围第22项之组合物,其中一种或多种五金刚烷成份为单-五金刚烷成份。24.如申请专利范围第22项之组合物,其中一种或多种五金刚烷成份为单离之光学异构物。25.如申请专利范围第22项之组合物,其中一种或多种五金刚烷成份为异构之五金刚烷成份。26.如申请专利范围第22项之组合物,其中一种或多种五金刚烷成份为以式C25H30表示之非异构五金刚烷成份。27.一种富含之五金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。28.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其为结晶态。29.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1231]五金刚烷。30.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1213]立体异构物A五金刚烷。31.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1213]立体异构物B五金刚烷。32.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1234]立体异构物A五金刚烷。33.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1234]立体异构物B五金刚烷。34.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[12(1)3]立体异构物A五金刚烷。35.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[12(1)3]立体异构物B五金刚烷。36.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1212]五金刚烷。37.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[1(2,3)4]五金刚烷。38.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为[12(3)4]五金刚烷。39.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为未经取代之五金刚烷成份。40.如申请专利范围第27项之富含五金刚烷成份,其中五金刚烷成份为经取代之五金刚烷成份。41如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种六金刚烷成份。42.如申请专利范围第41项之组合物,其中一种或多种六金刚烷成份为单-六金刚烷成份。43.如申请专利范围第41项之组合物,其中一种或多种六金刚烷成份为单离之光学异构物。44.如申请专利范围第41项之组合物,其中一种或多种六金刚烷成份为异构之六金刚烷成份。45.如申请专利范围第41项之组合物,其中一种或多种六金刚烷成份为以式C30H36表示之一种或多种六金刚烷成份。46.如申请专利范围第41项之组合物,其中一种或多种六金刚烷成份为以式C29H34表示之一种或多种六金刚烷成份。47.一种富含六金刚烷成份,其系以有取代或没有取代之式C30H36或C29H34表示,且其呈现至少25wt%之纯度。48.如申请专利范围第47项之富含六金刚烷成份,其为结晶态。49.如申请专利范围第47项之富含六金刚烷成份,其系以式C29H36表示。50.如申请专利范围第47项之富含六金刚烷成份,其系以式C30H36表示。51.如申请专利范围第50项之富含六金刚烷成份,其系选自以下之群组:[1(2)314]立体异构物A六金刚烷[1(2)314]立体异构物B六金刚烷[12(1)32]立体异构物A六金刚烷[12(1)32]立体异构物B六金刚烷[12(1)34]立体异构物A六金刚烷[12(1)34]立体异构物B六金刚烷[12(1,3)4]六金刚烷[12(3)14]立体异构物A六金刚烷[12(3)14]立体异构物B六金刚烷[121(2)3]立体异构物A六金刚烷[121(2)3]立体异构物B六金刚烷[12123]立体异构物A六金刚烷[12123]立体异构物B六金刚烷[12131]立体异构物A六金刚烷[12131]立体异构物B六金刚烷[12134]立体异构物A六金刚烷[12134]立体异构物B六金刚烷[12324]立体异构物A六金刚烷[12324]立体异构物B六金刚烷[12341]立体异构物A六金刚烷[12341]立体异构物B六金刚烷[1(2)3(1)2]六金刚烷[12(3)12]六金刚烷[121(3)4]六金刚烷[12121]六金刚烷[12321]六金刚烷[1(2)3(1)4]立体异构物A六金刚烷[1(2)3(1)4]立体异构物B六金刚烷52.如申请专利范围第47项之富含六金刚烷成份,其中六金刚烷成份为未经取代之六金刚烷成份。53.如申请专利范围第47项之富含六金刚烷成份,其中六金刚烷成份为经取代之六金刚烷成份。54.一种富含之经取代环六金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。55.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种七金刚烷成份。56.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为单-七金刚烷成份。57.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为单离之光学异构物。58.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为异构之七金刚烷成份。59.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为以式C30H36表示之一种或多种异构之七金刚烷成份。60.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为以式C30H36表示之一种或多种异构之七金刚烷成份。61.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为以式C33H38表示之一种或多种异构之七金刚烷成份。62.如申请专利范围第55项之组合物,其中一种或多种七金刚烷成份为以式C34H40表示之一种或多种异构之七金刚烷成份。63.一种富含之七金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。64.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其为结晶态。65.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其中七金刚烷成份之分子量为394。66.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其中七金刚烷成份为[121321]七金刚烷67.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其中七金刚烷成份为[123124]七金刚烷。68.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其中七金刚烷成份为未经取代之七金刚烷成份。69.如申请专利范围第63项之富含七金刚烷成份,其中七金刚烷成份为经取代之七金刚烷成份。70如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种八金刚烷成份。71.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为单-八金刚烷成份。72.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为单离之光学异构物。73.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为异构之八金刚烷成份。74.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为以式C33H36表示之一种或多种异构之八金刚烷成份。75.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为以式C34H38表示之一种或多种异构之八金刚烷成份。76.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为以式C36H40表示之一种或多种异构之八金刚烷成份。77.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为以式C37H42表示之一种或多种异构之八金刚烷成份。78.如申请专利范围第70项之组合物,其中一种或多种八金刚烷成份为以式C38H44表示之一种或多种异构之八金刚烷成份。79.一种富含之八金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。80.如申请专利范围第79项之富含八金刚烷成份,其为结晶态。81.如申请专利范围第79项之富含八金刚烷成份,其中八金刚烷成份为未经取代之八金刚烷成份。82.如申请专利范围第79项之富含八金刚烷成份,其中八金刚烷成份为经取代之八金刚烷成份。83.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种九金刚烷成份。84.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为单一九金刚烷成份。85.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为单离之光学异构物。86.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为异构之九金刚烷成份。87.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C34H36表示之异构九金刚烷成份。88.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C37H40表示之一种或多种异构之九金刚烷成份。89.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C38H42表示之一种或多种异构之九金刚烷成份。90.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C40H44表示之一种或多种异构之九金刚烷成份。91.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C41H46表示之一种或多种异构之九金刚烷成份。92.如申请专利范围第83项之组合物,其中一种或多种九金刚烷成份为以式C42H48表示之一种或多种异构之九金刚烷成份。93.一种富含之九金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。94.如申请专利范围第93项之富含九金刚烷成份,其为结晶态。95.如申请专利范围第93项之富含九金刚烷成份,其中九金刚烷成份为未经取代之九金刚烷成份。96.如申请专利范围第93项之富含九金刚烷成份,其中九金刚烷成份为经取代之九金刚烷成份。97.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物,其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种十金刚烷成份。98.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为单一十金刚烷成份。99.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为单离之光学异构物。100.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为异构之十金刚烷成分。101.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C35H36表示之非异构十金刚烷成份。102.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C38H40表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。103.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C41H44表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。104.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C42H46表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。105.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C44H48表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。106.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C45H50表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。107.如申请专利范围第97项之组合物,其中一种或多种十金刚烷成份为以式C46H52表示之一种或多种异构之十金刚烷成份。108.一种富含之十金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。109.如申请专利范围第108项之富含十金刚烷成份,其为结晶态。110.如申请专利范围第108项之富含十金刚烷成份,其中十金刚烷成份为[1231241(2)3]十金刚烷。111.如申请专利范围第108项之富含十金刚烷成份,其中十金刚烷成份为未经取代之十金刚烷成份。112.如申请专利范围第108项之富含十金刚烷成份,其中十金刚烷成份为经取代之十金刚烷成份。113.如申请专利范围第1至7及9至11项中任一项之组合物其中经选择高级钻石样成分包括一种或多种十一金刚烷成份。114.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为单一十一金刚烷成份。115.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为单离之光学异构物。116.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为异构之十一金刚烷成份。117.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C39H40表示之异构十一金刚烷成份。118.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C41H42表示之一种或多种异构之十一金刚烷成份。119.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C42H44表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。120.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C45H48表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。121.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C46H50表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。122.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C48H52表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。123.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C49H54表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。124.如申请专利范围第113项之组合物,其中一种或多种十一金刚烷成份为以式C50H56表示之一种或多种非异构之十一金刚烷成份。125.一种富含之十一金刚烷成份,其呈现至少25wt%之纯度。126.如申请专利范围第125项之富含十一金刚烷成份,其为结晶态。127.如申请专利范围第125项之富含十一金刚烷成份,其中十一金刚烷成份为未经取代之十一金刚烷成份。128.如申请专利范围第125项之富含十一金刚烷成份,其中十一金刚烷成份为经取代之十一金刚烷成份。129.一种回收富含高级钻石样成分之组合物之方法,该方法包括:a.选择包括可回收量高级钻石样成分之原料;b.在条件下自沸点低于目标高级钻石样成分之最低沸点之原料移除足量之成分,得到经处理之原料,且由该原料回收高级钻石样成分;及c.以选自包含层析技术、热扩散技术、区精制、逐步再结晶及尺寸分离技术之分离技术,自该经处理之原料回收高级钻石样成分。130.一种回收如申请专利范围第1项富含高级钻石样之方法,包括:a.选择包括可回收量高级钻石样成分或回收、非高级钻石样成分之成分,及沸点低于经选择回收之高级钻石样最低沸点之成分原料;b.在条件下自原料移除足量之沸点低于选择回收之高级钻石样成分最低沸点之成分,其中可回收量之高级钻石样成分或选择回收之成分硫再经处理之原料中;及c.热处理上述b)中回收之原料,以热解至少足量之非钻石样成分,以自热解处理之原料回收选择之高级钻石样成分或诸成分,其中之热解系在条件下进行,以得到留下可回收量经选择高级钻石样成分或诸成分之经处理原料;d.以选自包含层析技术、热扩散技术、区精制、逐步再结晶及尺寸分离技术之分离技术,自该经处理之原料回收经选择之高级钻石样成分。图式简单说明:图1说明钻石样之笼状结构及钻石之相互关系。特别说明者为钻石样结构与钻石晶格次单元之关系。图2为叙述以各高级钻石样系列显示之不同分子量之表。图3说明本发明提供之四金刚烷结构。图4说明与钻石晶格有关之具有碳骨架之四种四金刚烷,且可看到其100晶格面(图4A)、110晶格面(图4B)及111钻石晶格面(图4C)。图5说明本发明提供之五金刚烷结构。图6A、6B、6C及6D说明本发明提供之六金刚烷结构。图7A、7B及7C说明本发明提供之七金刚烷结构。但仅显示各立体异构物之一图8说明本发明提供之八金刚烷结构。且仅显示500、486、472及432分子量态之实例。图9说明本发明提供之九金刚烷结构。且仅显示各分子量族之实例。图10说明本发明提供之十金刚烷结构,且仅显示各分子量泪之实例。图11说明本发明提供之十一金刚烷结构,且仅显示各分子量族之实例。图12提供代表含高级钻石样馏份及单独高级钻石样成分之单离中所用各步骤之流程图。需了解各步骤在部分例中可依不同项序使用,且可能在实例中讨论。图13A及13B为本申请案中包含之各种高级钻石样GC/MS及HPLC性质知汇总。图14显示用于单离单独四金刚烷及五金刚烷之二-HPLC管柱策略。图15说明发展分子电子装置中所用相对于C60(Buckminsterfullerene)及代表性碳次微米管之选择高级钻石样之尺寸及形状。选择之钻石样碳骨架结构见于图5、6、8、9及10。图16说明气钛浓缩物原料之气相层析;石例中所用原有原料之一(原料A);显示高级钻石之纪录浓度(该规格无法侦剧)。图17说明大气蒸馏650℉+塔底物当作原料之原料B之高温模拟蒸馏轮廓。该图亦说明用于高级钻石样单离所用之目标馏份点(1-10)。图18A及18B说明原料B650℉+蒸馏塔底物之蒸馏物馏份#6之气相层析(FID)(表3B,图18),及热裂解制程之最终产物。此等图显示非钻石成分已经藉由热裂解法破坏,且浓缩高级钻石样,尤其是六金刚烷,且可进行单离。图19及20为说明各种单独之高级钻石样(六金刚烷)在二不同HPLC层析管;如实例1及7中讨论之ODS及Hypercarb上之溶离顺序。图21说明实例3及5中进行之四金刚烷单离用之制备用虹吸气相层析数据。图21A显示由蒸馏物馏份#33,原料A上取得之馏份。黑体面编号系指四金刚烷之峰。图21B显示单离且送到承载器之峰。圆圈之标号峰(2、4及6)为四金刚烷。需了解光活化四金刚烷之二立体异构物包含于此等峰之一中。图22A、22B及22C说明以致备用气体层析(图21)之由原料A分离之四面体结晶之光微影蚀刻。图22A系自承载器馏份#2单离,图22B系自承载器馏份#4单离,且图22C系自承载器馏份#6单离。因为二立体异构四金刚烷在图21中具有相同GC驻留时间,,因此结晶之一含二立体异构物。图23A说明实例1中列举之原料B气体蒸馏拦截馏份之气相层析,其系用作热解制程中之原料。栏截之馏份为原料B在约6500F蒸馏后自蒸馏塔回收之物质。显示四金刚烷#1至#3。图23B说明图23A中起始材料热解产物之气体层析,亦即原料B气体蒸馏650℉+塔底物拦截馏份显示非钻石样成分之裂解。图24A及24B比较注入Vydac ODS HPLC管柱之含四金刚烷及富含四金钢完成份之HPLC馏份#6之气相层析。图25说明原料B气相蒸馏650℉+塔底物之拦截馏份之制备用ODS HPLC单离,显示各种时点取出之馏份及四金钢完成份之溶离顺序,以及依序分离步骤中所用馏份#12之配置时间。上图23中呈现该原料之气相层析。图26说明在Hypercarb静态项与丙酮移动向上操作之馏份12之HPLC层析(图25),得到四金刚烷#2之单离。图27A及27B说明藉由使用二不同HPLC管柱单离之四金刚烷#之GC/MS全部离子管柱(TIC)及质谱。图28A及28B说明藉由使用二不同HPLC管柱单离之四金刚烷#2之GC/MS全部离子层析(TIC)及质谱。图29A及29B说明藉由使用二不同HPLC管柱单离之四金刚烷#3之GC/MS全部离子层析(TIC)及质谱。图30A及30B说明藉由使用Hypercarb HPLC单离之甲基四金刚烷之GC/MS全部离子层析(TIC)及质谱。图31A及31B说明五金刚烷单离用之制备用虹吸气相层析数据。图31A显示含来自热处理之原料B之五金刚烷之一之第一种管柱馏份。馏份中之物质在第二管柱上分离。图31B显示送到承载器之第二种管柱峰。五金刚烷#1(GC/MS分析中溶离之第一种五金刚烷)在承载器6中单离。图32A及32B显示藉由至备用虹吸气相层析单离之五金刚烷#1之GC/MS总离子层析及质谱。图33A为藉由制备用气相层析(图31及32)自原料B单离之五金刚烷#1结晶之光微影蚀刻。图33B说明五金刚烷之共结晶。图34说明以显示使用十八矽烷管柱及丙酮移动相取得之HPLC馏份之烃馏份饱和之原料B蒸馏物馏份热解产物之制备用HPLC折射系述痕迹(具有负极性)。五金刚烷系依其在GC/MS分析上之溶离编号。图35说明在具有丙酮移动相之Hypercarb静态相上操作得到五金刚烷#1之单离之ODS HPLC馏份11之层析(图34)。图36A及36B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#1之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图37A及37B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#2之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图38A及38B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#3之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图39A及39B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#4之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图40A及40B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#5之GC/IVIS总离子层析(TIC)及质谱。图41A及41B说明使用二不同HPLC管柱单离之五金刚烷#6之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图42A及42B说明六金刚烷单离用之制备用虹吸气相层析数据。图42A显示含来自原料B之六金刚烷之二之第一管柱馏份。图42B显示单离且送到承载器之第二管柱峰。由该程序可单离出醇六金刚烷(图43及44),六金刚烷#2,第二种再GC/MS分析中溶离之六金刚烷,且六金刚烷#8为第八种溶离物。图43A及43B说明以制备用虹吸气相层析单离之六金刚烷42之GC/MS总离子层析及质谱。图44A及44B说明以制备用虹吸气相层析高度浓缩之六金刚烷48之GC/MS总离子层析及质谱。该样品中含微量甲基七金刚烷(408分子量)。图45说明藉由制备用气相层析(图42及44)自原料B单离之六金刚烷#2结晶之光微影蚀刻。图46说明藉由制备用气相层析(图145及147)自原料B单离之六金刚烷#8结晶之光微影蚀刻。图47A及47B说明ODS HPLC馏份#39中六金刚烷#8之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图48A及48B说明ODS HPLC馏份#48中六金刚烷#10之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图49A及49B说明ODS HPLC馏份#63中六金刚烷#6之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图50A及50B说明大量富含于Hypercarb HPLC馏份#53中之六金刚烷#2之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图51A及51B说明使用二不同HPLC管柱单离之六金刚烷#13之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图52A及52B说明使用二不同HPLC管柱单离之六金刚烷#7之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图53A及53B说明原料B蒸馏馏份#6之热解制程产物之饱和烃馏份中缩合"不规则"六金刚烷(莫耳wt.382)GC/MS重构离子层析m/z382及质谱。图54A及54B说明ODS HPLC馏份#36中不规则六金刚烷(莫耳wt.382)之GC/MS重构离子层析m/z382及质谱。图55A及55B说明ODS HPLC馏份#55中单离之甲基六金刚烷(莫耳wt.410)之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图56说明含环六金刚烷及甲基环六金刚烷之ODS HPLC合并馏份#23-26之GC/MS总离子层析(TIC)。图57A及57B说明使用多管柱静态相HPLC (ODS接着Hypercarb)单离之甲基环六金刚烷#1(莫耳wt.356)GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图58A及58B说明使用多管柱静态相HPLC(ODS接着Hypercarb)高纯度单离之甲基环六金刚烷#2(莫耳wt.356)之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图59及60显示使用二不同HPLC管柱单离之甲基环六金刚烷#1及甲基环六金刚烷#2结晶之光微影蚀刻。图61A及61B说明六金刚烷单离用之制备用虹吸气相层析数据。图61A显示含来自原料B之七金刚烷之二之第一种管柱馏份。图61B显示单离且送到承载器之第二管柱峰。由该程序可单离出纯的七金钢完成份(图8及9),七金刚烷#1,GC/MS分析中溶离之第一种七金刚烷,且第二次溶离之七金刚烷#2。图62A及62B说明以制备用虹吸气相层析单离之七金刚烷#1之GC/MS总离子层析及质谱。图63A及63B说明以制备用虹吸气相层析高度浓缩之七金刚烷#2之GC/MS总离子层析及质谱。图64说明藉由制备用气相层析(图61及62)自原料B单离之七金刚烷#1结晶之光微影蚀刻。图65说明以制备用气相层析(图61及63)自原料B单离之七基钢烷#2结晶之光微影蚀刻。图66A及66B说明ODS HPLC馏份#45中之七金刚烷成分#1之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图67A及67B说明ODS HPLC馏份#41中之七金刚烷成分#2之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图68A及68B说明ODS HPLC馏份#61中之七金刚烷成分#9之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图69A及69B说明ODS HPLC馏份#87中之七金刚烷成分#10之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图70A及70B说明大量富含于Hypercarb HPLC馏份#55中之七金刚烷#1之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图71A及71B说明使用二不同HPLC管柱单离之七金刚烷#2之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。七金刚烷#2系使用Hypercarb HPLC系统自ODS HPLC馏份#41(图67)单离。图72说明显示ODS HPLC馏份徉61中部分缩合七金钢完成份(莫耳wt.420)GC/MS重构离子层析m/z420。图73说明图72中分子量420之七金刚烷之质谱。图74A及74B说明ODS HPLC馏份#51中单离之甲基七金刚烷(莫耳wt.408)之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图75A及75B说明以高效能液态层析高度浓缩之八金刚烷#1之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图76说明以高效能液态层析自原料B单离之八金刚烷#1结晶之光微影蚀刻。图77A及77B说明由ODS HPLC馏份#63生长之共结晶八金刚烷#3及八金刚烷#5(图77C)之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图78A及78B说明共结晶八金刚烷#3及#5之光微影蚀刻,结晶B系容于环己烷中且以GC/MS分析(图77)。图79A及79B说明含八金刚烷#1及八金刚烷#10之ODS HPLC馏份#80之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图80A及80B说明含八金刚烷(分子量500)之ODS HPLC馏份#92之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图81A及图81B说明含甲基八金刚烷(分子量460)之ODSHPLC馏份#94之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图82A及82B说明以高效能液体层析浓缩之九金刚烷之GC/MS总离子层析及质谱。图83A及83B说明使用二不同HPLC管柱浓缩之九金刚烷GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图84A及84B说明九金刚烷结晶定光微影蚀刻及及容解结晶之质谱。图85A及85B说明甲基九金刚烷(莫耳wt.512)之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图86A及86B说明[1231241(2)3],分子量456,以高效能液体层析浓缩之十金刚烷之GC/MS总离子层析及质谱。图87A及87B说明[1231241(2)3],分子量456,使用二不同HPLC管柱单离之十金刚烷之GC/MS总离子层析(TIC)及质谱。图88A及88B说明[1231241(2)3],十金刚烷结晶之光微影蚀刻,及溶解结晶之质谱。图89A及89B说明十金肮烷(莫耳wt.496)之GC/MS选择之离子层析(TIC)及质谱。图90A及90B说明二种甲基十金刚烷(莫耳wt.470)之GC/MS总离子层析(TIC),及GC/MS分析中在18.84分钟溶离之质谱。图91A及91B说明原料B大气蒸馏馏份#7(表3)浓缩十一金刚烷热解忏物之GC/MS选择离子层析(m/z508)及质谱。图92A、92B及92C说明在21.07分钟溶离之十一金刚烷成份(莫耳wt.508)之GC/MS选择之离子层析(m/z508)及质谱,即在21.30分钟溶离之甲基十一金刚烷成份(莫耳wt.522)之质谱。图93为说明含高级钻石样原料(原料B,大气压蒸馏残留物)之蒸馏馏份,显示选用以对富含特殊之高级最时样群有利之馏份。图94显示[12341]六金刚烷之螺旋状结构(右及左旋)。 |
