| 摘要 |
本发明提供一种适用于半导体雷射等光装置之用途的低位错InP单晶之制造方法及低位错InP单晶晶圆。在有底圆筒形坩埚所构成的原料熔融液收容部收容半导体原料与密封剂，且加热上述原料收容部使原料熔化，且在由上述密封剂覆盖的状态下使种晶接触该原料熔融液表面，而藉由一边提拉该种晶一边使之结晶成长的液体密封柴氏长晶法(Czochralski Method)中，将结晶成长方向的温度梯度设为25℃／cm以下，降温量设为0.25℃／hr以上，由种晶使结晶肩部成长而制造InP单晶，可实现位错密度为500／cm^2以下的区域占70％以上之掺杂铁或未掺杂的InP单晶晶圆。 |
